[发明专利]固态图像器件及其制造方法和图像摄取设备无效
| 申请号: | 201010003341.6 | 申请日: | 2010-01-21 | 
| 公开(公告)号: | CN101794836A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 | 
| 发明(设计)人: | 户田淳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 | 
| 主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/032;H01L31/0352;H01L27/146 | 
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 李晓冬;南霆 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 图像 器件 及其 制造 方法 摄取 设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种固态图像器件、用于制造该固态图像器件的方法以及 图像摄取设备。
背景技术
已经进行了随着像素数增加而减小像素尺寸的开发。同时,也已经进 行了通过高速成像来提高运动画面性能的开发。以这种方式,高速成像和 像素尺寸的减小减少了入射到一个像素上的光子数,从而降低了灵敏度。
对于监视相机,需要能够在黑暗处捕获图像的相机。即,需要高灵敏 度传感器。
在具有典型的Bayer格式的图像传感器中,像素被分开用于各种色 彩。因此,需要执行解马赛克处理(用于根据像素周围的像素对像素的色 彩进行内插的处理),从而不利地导致伪色(color artifact)。
在这样的情况中,据报告用作具有高的光学吸收系数的光电转换层的 CuInGaSe2层被应用于图像传感器,来实现较高的灵敏度(例如,参见日 本未实审专利申请公布No.2007-123720和Japan Society of Applied Physics, Spring Meeting,2008,Conference Proceedings(日本应用物理学会2008年 春季会议的会议论文集)29p-ZC-12(2008))。
然而,该电光转换层基本上在电极上生长并且是多晶的,因此导致由 于晶体缺陷引起的暗电流的显著发生。此外,在该状态中,光不被分离。
同时,据报告使用了硅的依赖于波长的吸收系数来分离光的方法。该 方法不包括解马赛克,从而消除了伪色(例如,参见美国专利No. 5,965,875)。
该方法提供了高度的色彩混合和较差的色彩再现性。即,关于美国专 利No.5,965,875中所描述的使用依赖于波长的吸收系数的机制,理论上没 有减少所检测到的光量。然而,当红光和绿光通过对蓝色分量敏感的层 时,一定量的红色分量和绿色分量在该层中被吸收,使得这些分量被检测 出作为蓝色分量。因此,即使在不存在蓝色信号的情况中,绿色和红色信 号的通过也导致蓝色信号的误检测,这引起混淆现象并且难以提供充分的 色彩再现性。
为了防止混淆现象的发生,通过利用所有三原色而进行的计算来执行 信号处理以进行校正。因此,要布置用于计算的电路,这增加了该电路的 电路结构的复杂度和规模并且导致成本增加。此外,如果三原色之一饱 和,则不能确定饱和色彩的信号的真正的值,从而导致误计算。结果,信 号作为不同的色彩被处理。此外,利用耦合器(plug)读出信号;因此, 需要设置耦合器区。这使得减小了光电二极管的面积。即,该方法不适用 于像素尺寸的减小。
同时,参考图46,大多数半导体具有对红外光的吸收灵敏度。因此, 在例如使用硅(Si)半导体材料的固态图像器件(图像传感器)中,通常 在传感器的入射光侧布置红外截止滤光片,红外截止滤光片是减色式滤色 片的一个示例。报告了一种克服了利用依赖于波长的吸收系数的机制的缺 点的传感器。该传感器利用带隙,而不使用减色式滤色片。该传感器具行 良好的光电转换效率和色彩分离能力。在一个像素位置处检测到所有三原 色(例如,参见日本未实审专利申请公布No.1-151262、3-289523和6- 209107)。这些文件中所公开的图像传感器中的每一种都具有在深度方向 上改变带隙的结构。
在日本未实审专利申请公布No.1-151262中,由具有不同带隙Eg的 材料组成的层在深度方向上被顺次堆叠在玻璃衬底上,以用于色彩分离。 然而,例如为了分离蓝(B)、绿(G)和红(R),该文件仅描述了在假 定Eg(B)>Eg(G)>Eg(R)的情况下这些层被堆叠。没有提到具体的材料。
相比之下,日本未实审专利申请公布No.3-289523公开了利用SiC材 料的色彩分离。日本未实审专利申请公布No.6-209107公开了AlGaInAs 和AlGaAs材料。
然而,在日本未实审专利申请公布No.3-289523和No.6-209107中, 没有提到不同材料的异质结处的结晶性。
在具有不同晶体结构的材料彼此接合(bond)时,晶格常数的差异引 起失配位错(misfit dislocation),因此结晶性降低。结果,在带隙中形成 的缺陷能级处被截留的电子被发射,引起暗电流的发生。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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