[发明专利]空乏模式的电荷捕捉快闪装置

权利要求书

1.一种非易失存储装置，其特征在于，包含：

多条半导体线位于一衬底之上，该多条半导体线包含多个埋藏通道区 域，其已掺杂供空乏模式的运作；

一储存结构位于该多条半导体线之上，包含一隧穿绝缘层位于该多个 埋藏通道区域的鳍状物之上，一电荷储存层位于该隧穿绝缘层上，以及一 势垒绝缘层位于该电荷储存层之上；

多条字线位于该储存结构上，且与该多条半导体线的该多个埋藏通道 区域交错，其中多个存储单元位于该多条字线与该多条半导体线的多个交 叉点上；

其中，该衬底包含一半导体主体，该多条半导体线包含末端隆起，其 与多个鳍状物整合并且延伸至该半导体主体之外；该鳍状物的末端隆起具 有埋藏通道区域，其掺杂可以供空乏模式操作。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该埋藏通道区域 具有n型掺杂。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该多个埋藏通道区域 掺杂为一第一导电型态，同时包含掺杂的源极/漏极区域位于该字线的相对 面的该多个鳍状物上，该掺杂的源极/漏极区域具有该第一导电型态的掺 杂，其浓度高于该埋藏通道区域。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，一特定存储单元的该 隧穿绝缘层与该特定存储单元的该埋藏通道区域的一表面接触，同时包含 一材料的组合以建立一相对低的价带能级于接近该埋藏通道区域的该表 面处，同时在该埋藏通道区域的该表面不到2nm的一第一距离处具有一 增加的价带能级，以及在该埋藏通道区域的该表面大于该第一距离的一第 二距离处具有一降低的价带能级。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，更包含一绝缘体位于 该多条字线的各个字线之间。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，更包含一特定鳍状物 于该多个鳍状物之中，该特定鳍状物包含一存取晶体管，其具有一通道于 该特定鳍状物中，并掺杂供增强模式运作。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该多个存储单元被设 置为一NAND阵列。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该多个存储单元的该 埋藏通道区域具有n型掺杂，其浓度为低于1×10¹⁸/cm³。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，更包含多个掺杂绝缘 区域于具有p型掺杂的该多个鳍状物中，并具有一浓度位于1×10¹⁷/cm³与1×10¹⁸/cm³之间，且该衬底具有p型掺杂。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，更包含一控制器与多 个偏压提供电路，其可执行一编程操作，一擦除操作，与一读取操作，该 擦除操作包含施加一负向电压于该字线与一选定存储单元的埋藏通道间， 以引发空穴隧穿。

11.一种集成电路存储装置，其特征在于，包含：

一半导体鳍状物，其延伸离开一衬底，并具有一末端隆起，该鳍状物 包含沿着该末端隆起的一埋藏通道区域，其掺杂n型掺杂物以供空乏模式 运作之用；

多个存储单元栅极设置于该沿着该鳍状物末端隆起的该埋藏通道区 域之上，该多个存储单元栅极包含一第一存储单元栅极与一最末存储单元 栅极，具有绝缘构件将串行的栅极与相邻的串行栅极隔绝；

多个介电电荷捕捉位置位于串行的该多个存储单元栅极中多于一个 存储单元栅极之下，该介电电荷捕捉位置包含一多层隧穿绝缘结构，一电 荷储存层设置于该隧穿绝缘结构之上，以及一势垒绝缘层设置于该电荷储 存层之上；以及

一串行选择栅极位于该鳍状物的该末端隆起之上。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该衬底包含一半导 体主体，同时该鳍状物与该半导体主体整合，并且延伸至该半导体主体之 外。