[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

说明书

本申请是申请日为2002年10月31日、申请号为02147972.0(200810146383.8)、发明名称为“半导体集成电路器件的制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路器件的制造方法，尤其是一种当应用于一种提高在半导体集成电路器件的制造中使用的纯水的质量的方法时是有效的技术。 

背景技术

在一个半导体器件的制造包括集成电路的微制造中，要求从半导体晶片(以后仅仅称作晶片)的表面和界面上清除杂质，从而保持清洁。晶片上的杂质可能导致电路的断路或短路。特别是，必须完全清除重金属成分，因为它们对器件的电性质有很大的影响。 

纯水用来在清洗或者湿刻之后从晶片的表面上冲洗掉化学溶液，从而使它清洁；或者用来制备在清洗或湿刻步骤中的化学溶液。在这样的步骤中使用的纯水是使用装配了RO(反渗透)膜的一种RO(反渗透)设备在未净化的水除去微粒，有机物和高分子离子，使用一种离子交换树脂清除其它离子，然后使用UF装置(超滤装置)清除通过RO设备和离子交换树脂的清除之后在未净化的水中仍然存在的微粒和活性细菌而制备的。这样的纯水的准备过程公开于，例如，日本未经审查专利申请号Hei4(1992)-78483。在日本未经审查专利申请号Hei10(1998)-216721中，所公开的是通过一设置在UF装置下游的阴离子吸收膜设备清除太小以至于不能通过UF装置的阴离子的技术。 

本发明者们研究建立了一系统用来获得在半导体集成电路器件 的制造中使用的高纯度的纯水(以后称作“超纯水”)。在研究中，他们发现发生了如下描述的问题。 

UF装置在准备超纯水的最后步骤中使用。UF装置有一个通过把多个毛细空心纤维膜与包含环氧树脂作为原材料的一种粘合剂捆扎在一起从而得到的模件过滤器。这一过滤器由于它材料的寿命需要间歇地用新的过滤器代替。用来捆扎空心纤维膜的粘合剂包含胺而且一部分胺已经电离。当过滤器被替换之后水通过该UF装置时，电离的胺水解并迁移到超纯水中。如果使用了包含这种电离胺的超纯水，例如，刚好在MISFET(金属绝缘半导体场效应晶体管)的栅氧化物薄膜形成之前用来清洗晶片，组成晶片的Si(硅)必然被这种电离胺蚀刻，导致形成栅绝缘薄膜形成之后栅绝缘薄膜和晶片之间的界面的不均匀。当在这样的情形下形成的MISFET形成一电可擦可编程只读存储器(EEPROM；以后称作“闪速存储器”)的一个存储单元时，栅绝缘薄膜的击穿电压降低，导致往存储单元写特性和擦特性退化的问题。即使以上描述的MISFET用作除了一闪速存储器的存储单元之外的半导体器件时，在源和漏之间的电流也被打乱，导致特性的失灵。 

由本发明者们做的测试表明电离胺也来源于RO设备和离子交换树脂。有这样一种可能，即这种来源于除了UF装置之外的地方的电离胺流进了超纯水中。 

发明内容

本发明的一个目的是在制备将用于半导体集成电路器件的制造的超纯水中，防止电离胺流进超纯水中。 

以上所描述的和其它目的以及本发明的新颖特征从在此描述和附图将是清楚的。 

接下来将概述本申请所公开的典型发明。 

本发明的一方面，因此提供了一种半导体集成电路器件的制造方法，它包括向具有初级净化系统的一初级纯水系统中引进中性水作为第一原料水；把通过初级净化系统的净化获得的初级纯水作为第二原料水引进到具有二级纯净系统的二级纯水循环系统；然后使通过二级 净化系统的净化获得的二级纯水流入到初级湿洗设备中，从而使一半导体集成电路晶片接受初级湿处理，其中，在第二净化系统中，进行的是通过一离子清除过滤器清除离子的步骤，通过一超滤过滤器清除杂质离子的步骤，和使经过了离子清除过滤器和超滤过滤器的纯水流入初级湿洗设备的步骤，并且在流入初级湿洗设备时，电离胺或电离胺物质已经从二级纯水中清除到这样的程度以致不影响半导体集成电路器件的特性。 

本发明的另一方面，也提供了一种半导体集成电路器件的制造方法，它包括向一具有初级净化系统的初级纯水系统中引进中性水作为第一原料水，把通过初级净化系统的净化获得的初级纯水作为第二原料水引进到具有二级净化系统的二级纯水循环系统，然后使通过二级净化系统的净化获得的二级纯水流入到第一湿洗设备中，从而使一半导体集成电路晶片接受初级湿处理，其中，在二级净化系统中，进行的是通过一超滤过滤器从纯水中清除杂质离子的步骤，通过一薄膜型离子清除过滤器从经过了超滤过滤器的纯水中清除离子的步骤，和使经过了离子清除过滤器的纯水流入初级湿洗设备的步骤。