[发明专利]表面等离子体共振感测仪有效

专利信息
申请号: 201010002516.1 申请日: 2010-01-08
公开(公告)号: CN102121899B 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 李钟沛;曹育嘉;蔡五湖;许翔志 申请(专利权)人: 福华电子股份有限公司
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 表面 等离子体 共振 感测仪
【权利要求书】:

1.一种表面等离子体共振感测仪,其特征在于,包括:

一光源单元,用以提供一光源;

一具有一凹槽、一披覆层、一核心层、一第一金属层、一第二金 属层及多数层介电薄膜层的光纤感测单元,且该披覆层将该核心层包围于 其中,该光源通过该光纤感测单元而产生一光信号;

一光传感器,用以感测通过该光纤感测单元的该光信号并对应转 换为一电信号;

多条光纤,分别连接该光源单元、该光纤感测单元及该光传感器; 以及

一连接该光传感器的运算显示单元,该运算显示单元接受来自该光传 感器的该电信号并显示运算所得的结果;

其中,该第一金属层位于该凹槽之上,该多数层介电薄膜层则形成于 该第一金属层之上,该第二金属层则形成于该多数层介电薄膜层之上。

2.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,还 包含一样品槽,用以容置该光纤感测单元及一包含有一缓冲液的溶液。

3.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,所 述光源单元为激光二极管,该光传感器则为光二极管传感器。

4.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,所 述该多数层介电薄膜层包括至少三层介电薄膜层。

5.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,所 述该多数层介电薄膜层包含一第一二氧化硅薄膜层、一位于该第一二氧化 硅薄膜层之上的二氧化钛薄膜层及一位于该二氧化钛薄膜层之上的第二 二氧化硅薄膜层。

6.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,所 述第一金属层及该第二金属层的材质为金或银。

7.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,所 述凹槽是将一光纤经侧边研磨工艺制作而成。

8.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,所 述该多条光纤为多模光纤或单模光纤。

9.如权利要求1所述的表面等离子体共振感测仪,其特征在于,所 述光纤感测单元的表面等离子体共振波长介于840nm至860nm之间或 1300nm至1320nm之间。

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