[发明专利]固态成像装置和照相机

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

雪崩光电二极管，具有包含n⁺区域、p⁺区域、以及介于n⁺区 域和p⁺区域之间的雪崩区域的结构，所有这些区域被形成为在半导 体基体的厚度方向上延伸；以及

重复地具有雪崩光电二极管的结构的像素，其中所述雪崩光电二 极管与邻近的雪崩光电二极管共享n+区域或p+区域。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，在半导体基体 的一个主表面上形成互连层，并且使得光从半导体基体的另一个主表 面入射在光接收部分上。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，半导体基体由 硅形成。

4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，半导体基体由 从Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb和InSb中选择的一种材料 形成。

5.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，介于n⁺区域和 p⁺区域之间的雪崩区域的宽度在0.05μm至1μm的范围内。

6.一种用于捕获图像的照相机，包括：

固态成像装置，该固态成像装置包含：雪崩光电二极管，该雪崩 光电二极管具有包含n⁺区域、p⁺区域、以及介于n⁺区域和p⁺区域 之间的雪崩区域的结构，所有这些区域被形成为在半导体基体的厚度 方向上延伸；以及重复地具有雪崩光电二极管的结构的像素，其中所 述雪崩光电二极管与邻近的雪崩光电二极管共享n+区域或p+区域。