[发明专利]半导体装置及其芯片选择方法

权利要求书

1.一种具有多个芯片的半导体装置，包括：

穿透硅通孔TSV，配置为将所述多个芯片耦合在一起，并配置为串联耦合到多个电压降单元，其中，所述多个电压降单元中的每一个被包括在所述多个芯片中的相应的一个芯片内；

多个信号转换单元，所述多个信号转换单元中的每一个设置于所述多个芯片中的相应的一个芯片内，并且配置为将从所述多个芯片中的相应的一个芯片的电压降单元输出的电压转换成数字编码信号，并将所述数字编码信号提供作为所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片识别信号；以及

多个芯片选择信号产生单元，所述多个芯片选择信号产生单元中的每一个设置于所述多个芯片中的相应的一个芯片内，并且配置为将所述芯片识别信号与芯片选择识别信号比较，以产生所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片选择信号。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电压降单元中的每一个配置为包括电阻元件。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个信号转换单元中的每一个包括模数转换器ADC，该模数转换器配置为接收从所述电压降单元输出的电压以产生所述芯片识别信号。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个芯片选择信号产生单元中的每一个配置为如果所述芯片识别信号与所述芯片选择识别信号匹配，将所述芯片选择信号使能。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括多个锁存单元，

其中，所述多个锁存单元中的每一个设置在所述多个芯片中的相应的一个芯片内，并锁存所述芯片识别信号。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述芯片选择识别信号是从所述半导体装置外部输入的命令信号。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述芯片选择识别信号经另一个TSV被传输到所述多个芯片选择信号产生单元中的每一个。

8.一种用于具有多个芯片的半导体装置的芯片选择方法，包括步骤：

通过使用穿透硅通孔TSV将具有彼此不同电平的多个电压中的每一个施加到所述多个芯片中的相应的一个芯片，并且将芯片标识符分配给所述多个芯片中的相应的一个芯片；以及

选择被分配有与芯片选择标识符匹配的芯片标识符的芯片。

9.如权利要求8所述的芯片选择方法，其中，所述施加步骤包括以下步骤：

将具有彼此不同电平的多个电压中的每一个施加到所述多个芯片中的相应的一个芯片；以及

接收所述多个电压中的每一个，以产生所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片标识符。

10.如权利要求9所述的芯片选择方法，其中，将具有彼此不同电平的多个电压中的每一个施加到所述多个芯片中的相应的一个芯片的步骤包括：

将所述多个电压中的每一个施加到所述多个芯片中的相应的一个芯片，

其中，所述多个电压具有依次升高或依次降低的顺序的电平。

11.如权利要求9所述的芯片选择方法，其中，所述接收步骤包括：接收具有彼此不同电平的多个电压中的每一个，以将所接收的电压转换成数字编码信号。

12.如权利要求8所述的芯片选择方法，包括步骤：

存储所述芯片标识符。

13.如权利要求8所述的芯片选择方法，其中，所述芯片选择标识符是从所述半导体装置外部输入的命令。

14.如权利要求8所述的芯片选择方法，其中，所述芯片选择标识符经另一个TSV被传输到所述多个芯片中的每一个。