[发明专利]固态图像拾取元件及其驱动方法有效
| 申请号: | 201010000313.9 | 申请日: | 2010-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN101794796A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
| 发明(设计)人: | 久保寺隆;中村明弘;竹下光明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N3/15 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋;梁韬 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 图像 拾取 元件 及其 驱动 方法 | ||
相关申请的引用
本申请包含于2009年1月9日向日本专利局提交的日本优先 专利申请JP 2009-003164中所公开的相关主题,其全部内容结合于 此作为参考。
技术领域
本发明涉及固态图像拾取元件及其驱动方法,具体来讲,涉及 单板式彩色固态图像拾取元件及其驱动方法。
背景技术
在诸如CCD(电荷耦合装置)图像传感器、CMOS(互补金属 氧化物半导体)图像传感器的相关技术的单板式彩色固态图像拾取 元件中,将传播红光、绿光、以及蓝光的彩色滤光片设置在光接收 /电荷累积层之上。为了获得彩色视频信息,输出通过彩色滤光片传 播并且通过光接收/电荷累积层所接收的可见光作为来自固态图像 拾取元件的信号。每种颜色的彩色滤光片吸收约2/3的入射光。因 此,存在可见光的利用效率低和灵敏度低的缺点。此外,因为每个 固态图像拾取元件仅提供一种颜色的彩色信号,所以尤其存在低分 辨率和明显的伪彩色等其他缺点。
因此,为了克服这种缺点,人们研究并开发了层叠三种光接受 /电荷累积层的固态图像拾取元件(例如,参见日本专利公开第 2006-278446号)。例如,这种结构的固态图像拾取元件具有从光入 射面顺序层叠三种用于生成与蓝、绿以及红的三原色相对应的光电 荷的光接收/电荷累积层的像素结构。每个固态图像拾取元件具有用 于独立读取在各光接收/电荷累积层中生成的电荷的信号读电路,并 且对大部分入射光进行光电转换。因此,可见光的利用效率接近 100%,并且通过一个固态图像拾取元件获得与蓝、绿以及红的三原 色相对应的信号。因此,具有获得高灵敏度和高分辨率的优良图像 的优点。
发明内容
然而,在上述专利公开中所披露的固态图像拾取元件中,为各 层叠的光接收/电荷累积层设置了MOS型开关。即,三个MOS型 开关彼此独立地设置。因此,固态图像拾取元件的整体面积增大, 因此,不适于小型化。此外,在设置用于传送来自每个光接收/电荷 累积层的电荷的连接区域时,当连接区域由n+半导体层或者p+半导 体层形成时,连接区域将受到kTC噪声的影响。
因此,期望提供一种具有层叠光接收/电荷累积层且可以减小固 态图像拾取元件的整体面积,并且能够减小在电荷传送时的噪声影 响的构造或者结构的固态图像拾取元件及其驱动方法。
根据本发明的固态图像拾取元件或者在根据本发明的第一模 式到第三模式的固态图像拾取元件的驱动方法中的固态图像拾取 元件包括:
(A)在半导体层形成的光接收/电荷累积区域,其通过层叠M 个(其中,M≥2)光接收/电荷累积层来形成;
(B)在半导体层形成的电荷输出区域;
(C)由部分半导体层形成的耗尽层形成区域,所述部分半导 体层位于光接收/电荷累积区域和电荷输出区域之间;以及
(D)控制电极区域,用于控制耗尽层形成区域中的耗尽层的 形成状态,其中
固态图像拾取元件进一步包括:从每个光接收/电荷累积层延伸 至耗尽层形成区域的光接收/电荷累积层延长部。
顺便提及,在根据本发明的固态图像拾取元件或者在根据本发 明的第一模式或者第二模式的固态图像拾取元件的驱动方法中的 固态图像拾取元件中,各个光接收/电荷累积层延长部在耗尽层形成 区域的投影图像不需要彼此重叠或者可以彼此重叠。在这种情况 下,虽然通过对光接收/电荷累积层延长部进行投影来获得投影图像 时的投影方向基本上是任意的,但是假设投影方向为半导体层的法 线方向(其方向可以称作“Z方向”)。对于以下描述上述假设仍然 成立。
在根据本发明的第一模式的固态图像拾取元件驱动方法中,控 制电极区域包括一个控制电极部,电荷输出区域包括一个电荷输出 部,并且经由通过将控制电压顺序施加给控制电极部在耗尽层形成 区域形成的耗尽层,将在光接收/电荷累积层中所累积的电荷顺序传 送给电荷输出部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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