[其他]具有形成的发射极的前触点太阳能电池

说明书

技术领域

一般而言，本发明涉及太阳能电池，更具体地，本发明涉及但不仅仅涉及太阳能电池的制造工艺和结构。 

背景技术

太阳能电池是已知的用于将太阳辐射转换为电能的装置。可以使用半导体加工技术将太阳能电池制造在半导体晶片上。太阳能电池包括形成结的P型和N型扩散区。入射到太阳能电池上的太阳辐射产生电子和空穴，所述电子和空穴转移至扩散区，从而在扩散区之间产生电压差。在背面触点太阳能电池中，扩散区和耦接至扩散区的金属触点均在太阳能电池的背面。所述金属触点允许外部电路耦接至太阳能电池，并且允许外部电路由太阳能电池供电。 

在前触点太阳能电池中，电连接到扩散区的金属触点中的至少一个在太阳能电池的正面。所述太阳能电池的正面与所述背面相反，其在正常操作期间面对太阳来收集太阳辐射。但是，由于背面触点太阳能电池的正面上不存在金属触点，因此背面触点太阳能电池相对于前触点太阳能电池来说具有美感优势，并且因此，背面触点太阳能电池优选地用于住宅应用，而对于发电量为主要关注点的发电厂和其他应用，美感则不是主要要求。本申请公开了相对高效且成本低的前触点太阳能电池的结构和制造该前触点太阳能电池的工艺。 

发明内容

一种太阳能电池，其具有在正常操作期间面对太阳以收集太阳辐射的正面和与该正面相反的背面。该太阳能电池包括：N型硅衬底； 

所述太阳能电池正面上的所述N型硅衬底上的粗糙表面；N型硅衬底的粗糙表面上的抗反射层；与N型硅衬底形成背面结的P型多晶 硅发射极；从所述太阳能电池正面电连接至N型硅衬底的负极性金属触点；以及从所述太阳能电池背面电连接至P型多晶硅发射极的正极性金属触点。 

一种太阳能电池，其具有在正常操作期间面对太阳以收集太阳辐射的正面和与该正面相反的背面。该太阳能电池包括：衬底，其具有粗糙的前表面；发射极层，其形成在所述衬底的后表面上，所述发射极层与所述衬底形成背面结；第一金属触点，其电连接至所述太阳能电池正面上的所述衬底；第二金属触点，其电连接至所述太阳能电池背面上的所述发射极层，所述第一金属触点和所述第二金属触点都被配置为允许外部电路由所述太阳能电池供电。 

通过阅读包括附图和权利要求的本公开的整体，本发明的这些和其他特征对于本领域普通技术人员来说将清楚。 

附图说明

图1简要示出了根据本发明的一个实施例的太阳能电池的截面。 

图2是简要示出了图1所示太阳能电池的正面的平面图。 

图3是简要示出了图1所示太阳能电池的背面的平面图。 

图4(包括图4A至图4M)简要示出了根据本发明的一个实施例的图1所示太阳能电池的制造。 

不同图示中所使用的相同参考标号指示相同或相似的部件。所述图示并非按比例绘制。 

具体实施方式

在本发明的公开中，提供许多具体细节(例如，设备、工艺参数、材料、工艺步骤、以及结构的示例)以提供对本发明的实施例的全面理解。但是，本领域普通技术人员可以理解的是，本发明可以在不具有一个或多个具体细节的情况下实施。还有一些已知的细节未被示出或描述，以避免使本发明的方面变得不明显。 

图1简要示出了根据本发明的一个实施例的太阳能电池100的截面。太阳能电池100具有金属触点102坐落的正面和与所述金属触 点110在同一侧的背面。在正常操作期间，所述正面面对太阳来收集太阳辐射。 

在图1所示的示例中，太阳能电池100包括由用作P型扩散区的P型掺杂多晶硅发射极108和用作N型扩散区的N型硅衬底101形成的背面结。所述N型硅衬底101可以包括长寿命(例如，2至5ms)N型硅晶片，并且从背面表面至衬底的粗糙正面表面的顶部所测量的厚度约为100至250μm。所述衬底101的正面表面为任意粗糙的(如标号113所示)，并且包括形成在衬底中的N型掺杂区105和106。所述N型掺杂区105提供了较低的前表面复合，并且在不损害太阳能电池的蓝光响应的同时改进了横向电导率。可以是磷扩散的区域106提供了较低的触点电阻，并且使触点复合最小化。区域106还可以被称为“N型点”，这是因为，在一个实施例中，其形成点形以使前表面上的重扩散区的面积最小化。N型掺杂区105可以具有100至500Ω/sq的薄层电阻，而N型掺杂区106可以具有10至50Ω/sq的薄层电阻。