[发明专利]电子流体指示器以及指示方法有效
申请号: | 200980163220.3 | 申请日: | 2009-12-31 |
公开(公告)号: | CN102804242A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | M·肯萨克斯基;A·肯派宁 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | G09F3/03 | 分类号: | G09F3/03 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 流体 指示器 以及 指示 方法 | ||
1.一种微流体装置包括:
微通道,由至少一种物质至少部分地填充,以及
导体,提供与所述微通道的相交区域,
其中作为暴露到针对所述微通道或者针对所述微通道中的所述物质的现象的结果,所述微流体装置被设置为控制在所述相交区域中的所述导体的电磁特性。
2.根据权利要求1的装置,其中所述物质是形成所述微通道的至少一部分的材料。
3.根据权利要求1或2的装置,其中所述微通道和所述导体相交以便在暴露到所述现象前在相交区域中所述微通道的至少一部分被设置为与所述导体邻近。
4.根据权利要求1-3中任意一个的装置,其中在针对所述微通道或针对所述微通道中的所述物质的暴露后,所述物质被设置为改变状态或者形式以便改变所述导体的所述电磁特性。
5.根据权利要求1-4中任意一个的装置,其中在暴露后,所述物质被设置为沿着所述微通道移动到所述相交区域以便改变在所述相交区域中的所述导体的所述电磁特性。
6.根据权利要求1-5中任意一个的装置,其中在暴露后,所述物质被设置为改变状态或者形式以便改变所述物质的电导率、电容率或者磁导率。
7.根据权利要求1-6中任意一个的装置,其中在暴露后,当所述物质与所述导体接触时,所述物质导致所述导体的电导率的改变。
8.根据权利要求1-7中任意一个的装置,其中在暴露后,当所述物质与所述导体接触时,所述物质导致形成耦合到所述导体的电解质。
9.根据权利要求1-8中任意一个的装置,其中在暴露后,所述物质被设置为在所述相交区域中与所述导体电连接或断开电连接。
10.根据权利要求1-9中任意一个的装置,其中第一物质是在暴露到针对所述微通道或者所述第一或第二物质的现象之后能够与所述第二物质反应的材料。
11.根据权利要求10的装置,其中所述第一物质包括能够与所述第二物质反应的多孔材料。
12.根据权利要求1-11中任意一个的装置,其中当暴露后所述物质填充在所述相交区域中的两个导体之间的间隔时,所述物质被设置为在所述两个导体之间作用。
13.根据权利要求1-12中任意一个的装置,其中所述导体提供与所述微通道的所述相交区域以便所述导体断开,从而在所述相交区域中形成两个导体端部,当暴露后所述物质填充在所述相交区域中的所述两个导体端部之间的间隔时,所述物质被设置为在所述两个导体端部之间作用。
14.一种指示器装置,包括被连接到指示装置的根据权利要求1-13的任意一个的所述微流体装置以通过给出视觉、声音、气味和/或电指示来指示暴露到现象。
15.根据权利要求14指示装置,其中通过在所述微流体装置中产生的电能向所述指示装置供电。
16.一种方法包括:
提供包括导体的微流体装置,所述导体提供与微通道的相交区域,所述微通道由至少一种物质至少部分地填充,以及
检测暴露到所述微通道或者所述微通道中的物质的现象,
其中作为暴露到针对所述微通道或者所述微通道中的所述物质的现象的结果,使所述微流体装置作用以控制在所述相交区域中的所述导体的电磁特性。
17.根据权利要求16的方法,其中包括在针对所述微通道或者在所述微通道中的所述物质的暴露之后,改变在所述相交区域中的所述物质的状态或者形式。
18.根据权利要求16或17的方法,其中包括通过给出视觉、声音、气味和/或电指示而指示暴露到所述现象。
19.根据权利要求16-18中任意一个的方法,其中包括在暴露到所述现象暴露之后产生电源电压。
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