[发明专利]金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法有效

专利信息
申请号: 200980162274.8 申请日: 2009-10-28
公开(公告)号: CN102598217A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 洪性在 申请(专利权)人: 丽佳达普株式会社
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/683;H01L21/687
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;林锦辉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 金属 有机化学 汽相淀积 设备 及其 温度 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种金属有机化学汽相淀积设备,包括:

腔室;

衬托器,可旋转地安装于该腔室内并被构造成具有至少一个固定于其中的衬底;

多个加热器,被构造成加热所述衬托器并使它们的温度被单独控制;

气体喷射器,放置于所述衬托器之上且被构造成朝向衬托器喷射III族气体和V族气体;

多个温度探测传感器,放置于所述衬托器的一侧,并被构造成测量通过各加热器加热的加热区的温度;和

控制器,被构造成存储各个加热区所需的温度设定值,并通过将由各温度探测传感器探测到的探测温度值与加热区所需的各温度设定值相比较来控制加热区的温度。

2.如权利要求1所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:

加热区包括被独立控制的单独加热器;

所述温度控制器包括用于控制各加热器的单独控制器,且

将用于向各加热器独立提供电力的单独电源连接于各加热器。

3.如权利要求1所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:所述温度控制器包括用于控制各加热区的多个单独控制器,将用于加热区中的一个的温度设定值存储为典型温度设定值,且根据典型温度设定值来控制加热区的温度。

4.如权利要求3所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:所述温度控制器根据所述典型温度设定值来控制从各个加热区中选择出的典型加热区的温度,并根据通过各个温度探测传感器之中用于探测典型加热区的温度的温度探测传感器探测到的探测温度值来控制除了典型加热区之外的剩余加热区的温度。

5.如权利要求4所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:温度控制器测量在所述典型加热区探测的温度倾斜趋势,并执行控制以使得除典型加热区之外的剩余加热区与典型加热区的温度倾斜趋势一致。

6.如权利要求4所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:所述温度倾斜趋势是典型加热区的温度倾斜速度。

7.如权利要求1所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:所述温度控制器存储各加热区所需的各个单独温度设定值,并利用单独温度设定值控制各加热区的温度。

8.如权利要求7所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:温度控制器测量在每个加热区中探测的温度倾斜趋势,并执行控制以使得各个加热区具有该温度倾斜趋势。

9.如权利要求8所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:所述温度倾斜趋势是每个加热区的温度倾斜速度。

10.如权利要求8所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:所述温度倾斜趋势是各个加热区的温度设定值中的每一个的温度变化。

11.如权利要求1所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:温度控制器计算在衬托器旋转特定次数期间所探测的温度的平均值,并通过将该平均值与每个温度设定值相比较来控制加热区的温度。

12.如权利要求11所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:通过温度探测传感器探测到的加热区的温度为衬托器的温度。

13.如权利要求11所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:通过温度探测传感器探测到的加热区的温度为衬底的温度。

14.如权利要求11中所述的金属有机化学汽相淀积设备,其中:通过温度探测传感器探测到的加热区的温度为衬托器和衬底的温度。

15.一种控制金属有机化学汽相淀积设备的多个加热区的温度的方法,该方法包括:

通过利用各温度探测传感器来探测加热区的温度;

将通过温度探测传感器探测到的温度值与各温度设定值相比较;和通过利用用于存储各加热区所需的温度设定值的温度控制器来根据温度设定值控制加热区。

16.如权利要求15所述的方法,其中:

加热区包括被分别独立控制的多个单独加热器;

温度控制器包括用于控制各加热器的多个单独控制器,且

将用于向各加热器独立提供电力的多个单独电源连接于各加热器。

17.如权利要求15所述的方法,其中:温度控制器包括用于控制各加热区的多个单独控制器,将用于多个加热区中的任意一个的温度设定值存储为典型温度设定值,且根据典型温度设定值来控制加热区的温度。

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