[发明专利]具有线性预失真器的射频功率放大器

权利要求书

1.一种用于射频(RF)发送器的功率放大器电路，包括：

放大器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具有经由线性电容耦接于第一偏置电压且耦接于输入电压信号的栅极端，源极端和漏极端中的一个耦接于参考电压，源极端和漏极端中的另一个耦接于电流电路，其中，所述源极端和漏极端中的一个响应于输入电压信号而提供输出电流信号；以及

预失真器MOSFET，连接在放大器MOSFET的栅极端和第二偏置电压信号之间，所述预失真器MOSFET的源极端连接到所述预失真器MOSFET的漏极端。

2.根据权利要求1的功率放大器电路，其中：

所述放大器MOSFET是n沟道(NMOS)器件，所述放大器MOSFET的源极端耦接于地参考电压，且所述放大器MOSFET的漏极端耦接于电流源电路；以及

所述预失真器MOSFET是p沟道(PMOS)器件，所述预失真器MOSFET的源极端和漏极端连接到第二偏置电压信号，且所述预失真器MOSFET的栅极端连接到所述放大器MOSFET的栅极端。

3.根据权利要求1的功率放大器电路，其中：

所述放大器MOSFET是p沟道(PMOS)器件，所述放大器MOSFET的源极端耦接于电源参考电压，且所述放大器MOSFET的漏极端耦接于电流宿电路；以及

所述预失真器MOSFET是n沟道(NMOS)器件，所述预失真器MOSFET的源极端和漏极端连接到第二偏置电压信号，且所述预失真器MOSFET的栅极端连接到所述放大器MOSFET的栅极端。

4.根据权利要求1的功率放大器电路，其中：

所述放大器MOSFET是n沟道(NMOS)器件，所述放大器MOSFET的源极端耦接于地参考电压，且所述放大器MOSFET的漏极端耦接于电流源电路；以及

所述预失真器MOSFET是n沟道(NMOS)器件，所述预失真器MOSFET的源极端和漏极端连接到放大器MOSFET的栅极端，且所述预失真器MOSFET的栅极端连接到所述第二偏置电压信号。

5.根据权利要求1的功率放大器电路，其中：

所述放大器MOSFET是p沟道(PMOS)器件，所述放大器MOSFET的源极端耦接于电源参考电压，且所述放大器MOSFET的漏极端耦接于电流宿电路；以及

所述预失真器MOSFET是p沟道(PMOS)器件，所述预失真器MOSFET的源极端和漏极端连接到所述预失真器MOSFET的栅极端，且所述预失真器MOSFET的栅极端连接到所述第二偏置电压信号。

6.根据权利要求1的功率放大器电路，其中，所述放大器MOSFET具有基本上等于所述预失真器MOSFET的非线性电容的非线性电容。

7.根据权利要求6的方法，其中，所述预失真器MOSFET具有基本上类似于所述放大器MOSFET的非线性电容的非线性电容。

8.根据权利要求7的方法，其中，所述预失真器MOSFET尺寸和第二偏置电压信号值的组合定义了与所述放大器MOSFET的输入电容相反地行为的非线性电容。

9.根据权利要求1的功率放大器电路，其中，所述功率放大器电路被包括在移动无线通信设备中。

10.一种用于在射频(RF)发送器中线性地放大RF信号的方法，包括：

经由线性电容器向放大器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极端提供输入电压信号；

向放大器MOSFET的栅极端提供第一偏置电压；

向耦接于放大器MOSFET的源极端和漏极端中的一个提供参考电压；

在源极端和漏极端的另一个中容纳电流，其中，所述源极端和漏极端中的一个响应于输入电压信号而提供输出电流信号；以及

预矫正对在预矫正器MOSFET的栅极端和源极端之间的电压进行，预矫正器MOSFET连接在放大器MOSFET的栅极端和第二偏置电压信号之间、所述预矫正器MOSFET的源极端连接到所述预矫正器MOSFET的漏极端，其中，通过将预矫正器MOSFET的非线性电容与放大器MOSFET的非线性电容组合来预矫正对在预矫正器MOSFET的栅极端和源极端之间的电压进行。

11.根据权利要求10的方法，其中，预失真电压包括向所述预失真器MOSFET提供类似于所述放大器MOSFET的非线性电容的非线性电容。