[发明专利]电子材料用Cu－Ni－Si－Co系铜合金和其制造方法

权利要求书

1. 电子材料用铜合金，其含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该电子材料用铜合金的平均晶粒直径为15～30μm，每0.5mm²观察视野的最大晶粒直径与最小晶粒直径的差的平均值为10μm以下。

2. 如权利要求1所述的电子材料用铜合金，其中，进一步含有最大为0.5质量％的Cr。

3. 如权利要求1或2所述的电子材料用铜合金，其中，进一步含有总计最大为0.5质量％的选自Mg、Mn、Ag和P的1种或2种以上的元素。

4. 如权利要求1～3中任一项所述的电子材料用铜合金，其中，进一步含有总计最大为2.0质量％的选自Sn和Zn的1种或2种元素。

5. 如权利要求1～4中任一项所述的电子材料用铜合金，其中，进一步含有总计最大为2.0质量％的选自As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al和Fe的1种或2种以上的元素。

6. 如权利要求1～5中任一项所述的电子材料用铜合金的制造方法，其包含依次进行以下步骤：

将具有所需组成的铸锭进行熔化铸造的步骤1；

在950℃～1050℃加热1小时以上后，进行热轧，将热轧结束时的温度设在850℃以上，将从850℃至400℃的平均冷却速度设在15℃/s以上来进行冷却的步骤2；

加工度为85％以上的冷轧步骤3；

在350～500℃加热1～24小时的时效处理步骤4；

在950℃～1050℃进行固溶处理，将材料温度从850℃下降至400℃时的平均冷却速度设在15℃/s以上来进行冷却的步骤5；

任意的冷轧步骤6；

时效处理步骤7；

任意的冷轧步骤8；以及

消除应力退火步骤9。

7. 展铜品，其具有权利要求1～5中任一项所述的铜合金。

8. 电子设备部件，其具有权利要求1～5中任一项所述的铜合金。