[发明专利]具有本征二极管的可切换结

权利要求书

1.一种具有本征二极管的可切换结（600），其包括：

第一电极（635）；

第二电极（640）；

第一记忆电阻基体（605），其被构造为形成与所述第一电极（635）的电气界面（625），所述电气界面（625）具有可编程电导；以及

与所述第一记忆电阻基体（605）电气接触的半导体基体（615）；

所述半导体基体（615）被构造为形成与所述第二电极（640）的整流二极管界面（630）。

2.根据权利要求1所述的结，其中，所述第一记忆电阻基体（605）包括第一记忆电阻材料而且所述半导体基体（615）包括第二记忆电阻材料，所述第二记忆电阻材料是与所述第一记忆电阻材料不同的记忆电阻材料。

3.根据权利要求1所述的结，还包括在所述第一记忆电阻基体（605）与所述半导体基体（685）之间的p-n结（675）。

4.根据权利要求1所述的结，还包括在所述第一记忆电阻基体（605）与所述半导体基体（615）之间的过渡层（610）；

所述过渡层（610）包括所述第一记忆电阻基体（605）和所述半导体基体（615）的混合物。

5.根据上述权利要求中任何项所述的结，其中，所述半导体基体（615）具有下列中的至少一个：比所述第一记忆电阻基体（605）高的电容率和比所述第一记忆电阻基体（605）高的击穿电压。

6.根据上述权利要求中任何项所述的结，其中，所述半导体基体（615）的电容率和击穿电压的乘积大于所述第一记忆电阻基体（605）的电容率和击穿电压的乘积。

7.根据上述权利要求中任何项所述的结，还包括被构造为通过编程电压的施加而移动通过所述第一记忆电阻基体（605）的移动掺杂剂（424）；所述移动掺杂剂分布被构造为限定所述电气界面（625）的可编程电导。

8.根据上述权利要求中任何项所述的结，其中，邻近于所述第一电极（635）的所述第一记忆电阻基体（605）内的移动掺杂剂（424）的浓度导致所述电气界面（625）具有导电状态；并且邻近于所述第一电极（635）的所述第一记忆电阻基体（605）内的移动掺杂剂（424）的耗尽导致所述电气界面（625）具有较不导电的状态。

9.根据上述权利要求中任何项所述的结，其中，所述可切换结（600）被构造为在纵横闩阵列（200）中的两个纳米线（102，104）之间形成可切换电气连接。

10.根据上述权利要求中任何项所述的结，其中，所述第一记忆电阻基体（605）和所述半导体基体（615）与相同的移动掺杂剂物质（424）相容。

11.根据上述权利要求中任何项所述的结，其中，所述第一记忆电阻基体（605）包括二氧化钛且所述半导体基体（615）包括钛酸锶。