[发明专利]在发光半导体元件上提供一图案化光学透明或半透明导电层的方法及装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一导电层，其沉积在基板上；

活性层，其沉积在所述第一导电层上并且被构成为将电能转换成光；

第二导电层，其具有覆盖在所述活性层上的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

光学透明或半透明导电层，其具有第一表面和第二表面，其中，所述光学透明或半透明导电层的所述第一表面直接或间接覆盖在所述第二导电层的所述第二表面上，其中，所述光学透明或半透明导电层的所述第二表面包括具有多个厚区域和多个薄区域的图案；

第一电极，其耦接到所述第二表面；以及

第二电极，其耦接到所述第一导电层。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述光学透明或半透明导电层是能够在所述第二导电层的所述第二表面上扩布电流的铟锡氧化物(“ITO”)层。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述图案的厚区域位置与所述图案的薄区域相邻。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一导电层是n型氮化镓(“GaN”)层。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二导电层是p型GaN层。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述图案包括设置为多个形状的多个厚区域和设置为多个形状的多个薄区域。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述图案包括多个光学透明或半透明导电指状物。

8.根据权利要求1所述的设备，其中，针对各厚区域的厚度范围是5至5000埃

9.根据权利要求1所述的设备，其中，各薄区域的厚度的范围是5至

10.一种用于制造设备的方法，该方法包括以下步骤：

在基板上沉积n型半导体层；

在所述n型半导体层上沉积活性层，以将电能转换成光；

在所述活性层上沉积p型半导体层，以形成发光二极管；

在所述p型半导体层上直接或间接沉积具有第一表面和第二表面的光学透明或半透明导电层，其中，所述光学透明或半透明导电层的所述第一表面覆盖在所述p型半导体层上；以及

在所述光学透明或半透明导电层的所述第二表面上蚀刻具有多个厚区域和多个薄区域的图案。

11.根据权利要求10所述的方法，包括以下步骤：

在所述光学透明或半透明导电层的所述第二表面的所述图案上沉积第一电极；以及

将电源的正电势耦接到用于提供电流的所述第一电极。

12.根据权利要求11所述的方法，包括以下步骤：

去除所述光学透明或半透明导电层的一部分、所述p型半导体层的一部分和所述活性层的一部分，以形成井区；

在所述n型半导体层上沉积所述井区中的第二电极；以及

将所述电源的负电势耦接到用于促进所述电流流动的第二电极。

13.根据权利要求12所述的方法，

其中，所述在基板上沉积n型半导体层的步骤包括在蓝宝石基板上沉积n型氮化镓(“GaN”)层；以及

其中，所述沉积p型半导体层的步骤包括沉积p型GaN层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述沉积光学透明或半透明导电层的步骤包括在所述p型GaN层上沉积能够扩布所述电流的铟锡氧化物(“ITO”)层。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述蚀刻图案的步骤包括形成具有设置为任意单个形状或形状组合的多个厚区域和薄区域的图案。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成具有多个厚区域和薄区域的图案的步骤还包括以三角形形状设置所述图案。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成具有多个厚区域和薄区域的图案的步骤还包括以矩形形状设置所述图案。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成具有多个薄区域的图案的步骤还包括以椭圆形形状设置所述图案。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述蚀刻图案的步骤包括形成三角形、圆形、正方形、椭圆形、梯形或矩形。