[发明专利]从硅熔体拉制多晶硅晶锭的方法和拉制组件

权利要求书

1.一种用于生产多晶硅晶锭的方法，该方法包括：

将原料多晶硅装载到坩埚中以形成硅填料；

将所述硅填料加热到所述填料的大约熔化温度之上的温度以形成硅熔体；

使籽晶与所述硅熔体接触；以及

从所述硅熔体向上拉制硅晶锭，包括控制晶锭的生长条件以产生多晶硅晶锭。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制晶锭的生长条件包括提供用于多晶体生长的多个成核点。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使两个籽晶与所述硅熔体接触以使多晶体生长。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，将晶锭的生长条件控制为产生具有从大约1mm到大约25mm的平均标称晶体尺寸的多晶硅晶锭。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，将晶锭的生长条件控制为产生具有从大约1mm到大约15mm的平均标称晶体尺寸的多晶硅晶锭。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，将晶锭的生长条件控制为产生具有从大约5mm到大约25mm的平均标称晶体尺寸的多晶硅晶锭。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，将晶锭的生长条件控制为产生具有从大约5mm到大约15mm的平均标称晶体尺寸的多晶硅晶锭。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，将所述硅晶锭拉入到晶锭拉制器的热区中，其中所述热区构造为提供占主导的轴向热量流。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，以从大约0.3mm/min到大约2.0mm/min的速率拉制所述硅晶锭。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，以从大约1.0mm/min到大约2.0mm/min的速率拉制所述硅晶锭。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其特征在于，控制生长条件包括保持温度梯度以防止位错增殖。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，控制生长条件包括保持温度梯度低于0.2℃/mm。

13.一种用于在晶锭拉制器中生长硅晶锭的方法，该方法包括：

将原料多晶硅装载到坩埚中以形成硅填料；

将所述硅填料加热到所述填料的大约熔化温度之上的温度以形成硅熔体；

使至少两个籽晶与所述硅熔体接触；以及

从所述硅熔体向上拉制硅晶锭。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，控制晶锭的生长条件以产生多晶硅晶锭。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，使至少大约4个籽晶与所述硅熔体接触。

16.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，使至少大约10个籽晶与所述硅熔体接触。

17.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，使至少大约100个籽晶与所述硅熔体接触。

18.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，使至少大约200个籽晶与所述硅熔体接触。

19.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，使至少大约300个籽晶与所述硅熔体接触。

20.根据权利要求13-19中任一项所述的方法，其特征在于，将所述籽晶连接到卡盘，所述卡盘构造成用于保持所述籽晶和从所述硅熔体在所述籽晶上生长的晶锭。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，将所述籽晶附接到与所述卡盘连接的安装托架。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，将所述安装托架附接到与所述卡盘连接的吊杆。

23.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，与硅熔体接触的籽晶的数量是每400cm²的晶锭截面积至少大约1个籽晶。

24.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，与硅熔体接触的籽晶的数量是每100cm²的晶锭截面积至少大约1个籽晶。