[发明专利]圆盘形高密度记录介质

权利要求书

1.一种光学记录介质，其中在基材上顺序地形成至少一个记录层和一个光传输层，并且其中光从光传输层侧照射用于记录和/或再现信息信号，所述基材包括注塑部件，并且所述基材具有根据ASTM E 756-05在25℃、2000 Hz下测量的至少2.15 GPa的杨氏模量E和低于160的Q因子，和＞85%的可录制性。

2.根据权利要求1的光学记录介质，特征在于基材在＞Tg (玻璃化转变温度)-30℃的模具温度下模塑。

3.根据权利要求2的光学记录介质，特征在于模具温度＞Tg (玻璃化转变温度)-20℃。

4.根据权利要求1的光学记录介质，其中所述基材具有根据ASTM E 756-05，在25℃、2000 Hz下测量的至少2.93 GPa的杨氏模量E和低于160的Q因子。

5.根据权利要求1至权利要求3的光学记录介质，其中所述基材为包含填料的聚碳酸酯。

6.根据权利要求5的光学记录介质，其中所述填料具有根据莫氏硬度，低于或等于5的硬度，基于本体试样测量。

7.根据权利要求6的光学记录介质，其中所述填料基于d₅₀低于100 nm的初级纳米颗粒。

8.根据权利要求1的光学记录介质，其中所述基材具有沿着螺旋形轨迹排列的凹点，和或轨迹间距低于350 nm的螺旋形凹槽。

9.根据权利要求1的光学记录介质，其中所述光传输层为具有至少1.41的折射率实部n的UV可固化和可旋涂树脂。

10.根据权利要求1的光学记录介质，其中所述光传输层为UV可固化和可旋涂树脂，其具有(i)复数折射率，其中实部n为至少1.70和其中虚部k为至多0.016，(ii)低于20 nm的表面粗糙度R_a，和(iii)不大于0.75 μm刻划深度的抗划性，所述实部n和虚部k在400至410 nm波长下测量，并且所述表面粗糙度R_a由原子力显微镜方法测定，所述刻划深度通过在40 g的施加重量下以1.5 cm/s的前进速率使尖部半径为50 μm的钻石针在聚碳酸酯基材上的涂层上移动来测定。

11.根据权利要求1至权利要求9的光学记录介质，其中所述光传输层为UV可固化和可旋涂树脂，其包括平均粒度(d₅₀)低于100 nm的纳米颗粒。

12.根据权利要求1至权利要求10的光学记录介质，其中光传输层的厚度为1 nm至低于3000 nm，更优选为200 nm至低于2000 nm和特别为500 nm至低于1500 nm。

13.根据权利要求1的光学记录介质，其中基材包括聚碳酸酯树脂，其中芳族二羟基单体衍生自式(1)的芳族二羟基化合物

HO-Z-OH    (1) 

其中Z表示式(1a)的基团

其中

R¹和R²彼此独立地表示H或C₁-C₈-烷基和X表示单键、C₁-C₆-亚烷基、C₂-C₅-烷叉基或C₅-C₆-环烷叉基，其可以被C₁-C₆-烷基取代，

条件是如果X表示3,3,5-三甲基环己叉基，R¹和R²表示氢。

14.制备作为根据权利要求1的光学记录介质基础的基材的方法，其中基材在＞Tg (玻璃化转变温度)-30℃的模具温度下相对于包括凹点和/或凹槽的压模进行模塑，借助于该方法，所述凹点和/或凹槽被复制到基材中，可录制性＞85%。