[发明专利]电阻记忆元件及其使用方法

权利要求书

1.一种电阻记忆元件，其具备元件体和隔着所述元件体的至少一部分对置的至少一对电极，

在所述一对电极之间施加第一方向的切换电压时，在所述元件体中位于所述一对电极之间的至少一部分发生低电阻化，之后，即使除去所述第一方向的切换电压，位于所述一对电极之间的至少一部分也保持低电阻状态，

另一方面，在所述一对电极之间施加与第一方向相反的第二方向的切换电压时，在所述元件体中位于所述一对电极之间的至少一部分发生高电阻化，之后，即使除去所述第二方向的切换电压，位于所述一对电极之间的至少一部分也保持高电阻状态，其中，

所述元件体是由具有通式Ti_1-xM_xO₂所示组成的氧化物半导体构成的，所述通式中，M为Fe、Co、Ni以及Cu中的至少一种，且满足0.005≤x≤0.05。

2.根据权利要求1所述的电阻记忆元件，其中，所述氧化物半导体为多晶体。

3.根据权利要求1或2所述的电阻记忆元件，其中，所述一对电极的至少一个是由与所述元件体消特基接触的材料构成的。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电阻记忆元件，其用于阻抗匹配。

5.一种电阻记忆元件，其具备元件体以及以与所述元件体接触的方式设置的第一和第二电极，

所述第一电极是由在与所述元件体的界面区域能形成可显示出整流性和电阻变化特性的肖特基势垒的材料构成的，

所述第二电极是由与所述第一电极相比对所述元件体更得到欧姆接触的材料构成的，

所述元件体是由具有通式Ti_1-xM_xO₂所示组成的氧化物半导体构成的，所述通式中，M为Fe、Co、Ni以及Cu中的至少一种，且满足0.005≤x≤0.05。

6.一种权利要求5所述的电阻记忆元件的使用方法，其中，包括：

通过在所述第一及第二电极之间施加第一极性的第一电压脉冲而实现该电阻记忆元件的低电阻状态的步骤、和

通过在所述第一及第二电极之间施加与所述第一极性相反的第二极性的第二电压脉冲而实现该电阻记忆元件的高电阻状态的步骤。

7.根据权利要求6所述的电阻记忆元件的使用方法，其中，还包括如下步骤：通过在所述第一及第二电极之间施加至少一种中间电压脉冲，实现显示出所述低电阻状态与所述高电阻状态之间的电阻值的至少一种中间电阻状态，所述中间电压脉冲为所述第一极性或所述第二极性且具有所述第一电压脉冲和所述第二电压脉冲之间的能量。

8.根据权利要求7所述的电阻记忆元件的使用方法，其中，对于选自脉冲宽度、脉冲振幅以及脉冲施加次数中的至少一种而言，所述中间电压脉冲具有所述第一电压脉冲与所述第二电压脉冲的中间值。

9.根据权利要求7或8所述的电阻记忆元件的使用方法，其中，作为多值存储器使用。