[发明专利]旨在减少施主衬底拉伸应力状态的异质结构体的制造方法有效
| 申请号: | 200980156845.7 | 申请日: | 2009-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN102318055A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | 马克·凯纳德 | 申请(专利权)人: | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 旨在 减少 施主 衬底 拉伸 应力 状态 结构 制造 方法 | ||
1.一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法,所述方法包括以下步骤:
-将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底(1)内部,以在其中形成脆弱区(11),
-在所述施主衬底(1)上组装第二所谓的“受主”衬底(3),
-沿所述脆弱区(11)分离出所述施主衬底(1)的后部,以在所述受主衬底上赋予需要的薄层(12),
其中,所述受主衬底(3)的热膨胀系数大于所述施主衬底(1)的热膨胀系数,而且为便于分离,在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火,
其特征在于以下事实:所述分离退火包括以下同步施加:
-对所述施主衬底(1)施加第一温度;
-对所述受主衬底(3)施加不同于所述第一温度的第二温度;
对所述第一温度和第二温度进行选择,以减少所述施主衬底(1)的拉伸应力状态。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于以下事实:所述方法包括预备步骤,所述预备步骤在于在所述施主衬底(1)上形成或沉积绝缘层,使得在其间存在所谓的“粘合”界面,并且在于在所述绝缘体的自由表面上完成所述受主衬底(3)在所述施主衬底(1)上的组装。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于以下事实:通过分子结合来实现所述受主衬底(3)在所述施主衬底(1)上的组装。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于以下事实:所述分离退火伴随和/或跟随着施加机械力。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于以下事实:完成施加所述第一温度和第二温度的方式使得各衬底(1、3)的全部体积具有均一温度。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于以下事实:通过将所述结构体放置于两个加热电极间来施加所述第一温度和第二温度。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于以下事实:通过将各衬底放置在带来相应温度的关联支撑体上来完成所述第一温度和第二温度的施加。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于以下事实:使用与各衬底(1、3)相关联的支撑体,所述支撑体是粘性结合机的组成部分。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于以下事实:所述施主衬底(1)由硅形成,所述受主衬底(3)由蓝宝石形成,所述第一温度高于所述第二温度。
10.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于以下事实:所述第一温度为300℃的数量级,所述第二温度为80℃的数量级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅绝缘体技术有限公司,未经硅绝缘体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980156845.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双球连体的滚动体
- 下一篇:鲜奶现酿酸奶机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





