[发明专利]杂环化合物及其在电子和光电子结构元件中的应用

权利要求书

1.杂环化合物作为电荷传输材料、光散射材料和/或阻挡体材料在电子结构元件、光电子结构元件、或电致发光结构元件中的应用，其中，所述杂环化合物具有下面的式A-E：

其中：

X和Y彼此不同，但此外独立地选自：氧、硫、硒和碲；n为1、2、3、4、5或6；并且R_1-9独立地选自：氢、烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环、OR’、SR’和NR₂’，其中，R’独立地选自烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环。

2.按照权利要求1所述的应用，作为经掺杂的或未经掺杂的空穴导体、未经掺杂的激子阻挡体、或未经掺杂的电子阻挡体。

3.依据式A-E的杂环化合物：

其中，X和Y彼此不同，但此外独立地选自氧、硫、硒和碲；n为1、2、3、4、5或6；在式A中，R₁-R₆独立地选自：烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环、OR’，其中，R’独立地选自芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环、和NR₂”以及SR”，其中，R”独立地选自烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环；其中，对于式B，R₁-R₆独立地选自：烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环、OR’、SR’和NR₂’，其中，R’独立地选自烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环；其中，对于式C-E，R_1-9独立地选自：氢、烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环、OR’、SR’和NR₂’，其中，R’独立地选自烷基、芳基、杂芳基、稠合的碳环和稠合的杂环。

4.按照权利要求3所述的杂环化合物，其特征在于，n＝1。

5.按照权利要求3或4所述的杂环化合物，其特征在于，X和Y选自氧和硫。

6.按照前述权利要求3至5之一所述的杂环化合物，其特征在于，所述杂环化合物选自：5，12-二氧杂-7，14-二硫杂-并五苯、N，N，N’，N’-四苯基-5，12-二氧杂-7，14-二硫杂-并五苯-6，13-二胺、3，10-二甲氧基-5，12-二氧杂-7，14-二硫杂并五苯、5，9，16-三氧杂-7，14，18-三硫杂并七苯、6，6’-双(5，12-二氧杂-7，14-二硫杂-并五苯)和5，11，17-三氧杂-6，12，18-三硫杂-三萘。

7.有机半导体材料，包括：电荷传输层、光散射层和/或阻挡体层，所述电荷传输层、光散射层和/或阻挡体层优选被以至少一种掺杂物加以掺杂，其中，所述电荷传输层、光散射层和/或阻挡体层包括按照权利要求3至6之一所述的杂环化合物。

8.电子结构元件、光电子结构元件或电致发光结构元件，所述电子结构元件、光电子结构元件或电致发光结构元件具有在电子功能方面有效的区域，其特征在于，所述在电子方面有效的区域包括至少一种依照权利要求3至6的杂环化合物。

9.按照权利要求8所述的结构元件，其特征在于，所述杂环化合物在有机光散射层中以结晶形式存在，优选地选择依照式A或式B的化合物，其中，R_1-6＝H，或选择由其异构体组成的混合物。

10.按照权利要求9所述的结构元件，其特征在于，所述光散射有机层以不含聚合物的形式形成。

11.按照权利要求9或10所述的结构元件，其特征在于，所述光散射有机层具有如下的光学折射率，所述光学折射率大于或等于发光有机层的光学折射率。

12.按照权利要求9至11之一所述的结构元件，其特征在于，所述光散射有机层具有处在大约1.5至大约2.2范围内的、优选处在1.4至1.8范围内的光学折射率。

13.按照权利要求9至12之一所述的结构元件，其特征在于，在所述光散射有机层中的微晶体平均是＞500nm的。

14.按照权利要求9至13之一所述的电子结构元件、光电子结构元件或电致发光结构元件，所述电子结构元件、光电子结构元件或电致发光结构元件呈有机发光二极管、场效应晶体管、光电检测器或有机太阳能电池的形式。