[发明专利]具有均匀硅化的鳍片末端部分的多栅极晶体管

权利要求书

1.一种方法，包含：

形成介电材料(230)于多栅极晶体管(200)的多个鳍片(210)的末端部分(210E)之上；

形成开口(230A)于该介电材料(230)中，以便延伸穿过该末端部分(210E)；

形成接触区域(235)于该开口(230A)中所暴露的各个该末端部分(210E)的剖面面积(210F)中；以及

形成接触组件(243)于该开口中，该接触组件(243)连接各个该接触区域(235)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，各个该末端部分(210E)的剖面面积中(210F)的该接触区域(235)包含沉积金属(231)以及激活该金属(231)与该剖面面积(210F)的材料的化学反应。

3.如权利要求1所述的方法，还包含在形成该开口(230A)之前形成至少一个漏极以及源极区域(211)于该末端部分(210E)中。

4.如权利要求1所述的方法，还包含在形成该接触区域(235)后，移除该介电材料(230)的材料，以便暴露该接触区域(235)的增加部分(235T、235S)。

5.如权利要求1所述的方法，还包含在形成该介电材料(230)之前形成栅极电极结构(220)于该鳍片之上，其中，该栅极电极结构(220)暴露该末端部分(210E)。

6.如权利要求5所述的方法，还包含：

移除该介电材料(230)的材料，以便在形成该接触区域(235)于该末端部分(210E)的该剖面面积(210F)中之前，暴露该栅极电极结构(220)的栅极电极材料(222)的一部分；以及

于共同制造工艺中形成栅极接触区域(236)以及该末端部分(210E)的该接触区域(235)。

7.如权利要求5所述的方法，还包含移除该介电材料(230)的一部分，以便在形成该接触组件(235)之后，暴露该栅极电极结构(220)的栅极电极材料(222)的一部分。

8.一种形成连接多栅极晶体管(200)的接触组件(243)的方法，该方法包含：

形成介电材料(230)，以便围绕该多栅极晶体管(200)的一个或多个鳍片(210)的末端部分(210E)；

形成接触开口(230A)于该介电材料(230)中，该接触开口(230A)暴露该一个或多个鳍片(210)的至少一部分；以及

以含金属材料(240)填充该接触开口(230A)，以便于提供连接该一个或多个鳍片的该至少一部分的接触组件(243)。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成该接触开口(230A)以便延伸穿过该末端部分(210E)并暴露其剖面面积(210F)，该方法还包含形成接触区域(235)于该暴露的剖面面积(210F)上。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该接触区域(235)基于硅化工艺形成。

11.如权利要求9所述的方法，还包含通过执行等向性蚀刻工艺(207)而暴露该接触区域(235)的增加部分(235T、235S)。

12.如权利要求8所述的方法，其中，形成该接触开口(230A)包含暴露该末端部分(210E)的至少一部分的至少侧壁表面(235S)。

13.如权利要求8所述的方法，还包含通过移除该介电材料(230)以及该接触组件(243)的材料，暴露该栅极电极结构(220)的栅极电极材料(222)。

14.一种半导体装置，包含：

多栅极晶体管(200)的多个鳍片(210)；

栅极电极结构(220)，形成于该多个鳍片(210)

的中央部分(210C)之上；

介电材料(230)，围绕各个该多个鳍片(210)的末端部分(210E)；以及

含金属接触组件(243)，形成于该介电材料(230)中，并具有与该多个鳍片(210)的每一末端部分(210E)的至少一个表面面积(235)形成的界面。

15.如权利要求14所述的装置，还包含金属硅化物材料(235)，其形成于该末端部分(210E)的末端表面(210F)中，其中，该末端表面(210F)形成该界面且为该末端部分(210E)相对于该鳍片(210)的长度方向的终端面。

16.如权利要求15所述的装置，其中，该接触组件(243)具有第二界面(235T、235S)，其形成有金属硅化物材料于该末端部分(210E)的该表面的一部分上。