[发明专利]半导体器件及其制造方法、毫米波电介质内传输装置及其制造方法、以及毫米波电介质内传输系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，其设置在衬底上，并能够进行毫米波带通信；

天线结构，其连接至所述半导体芯片；

绝缘构件，其被构造用于覆盖所述半导体芯片；以及

毫米波传输构件，其由具有能够进行毫米波信号传输的电介质的介电材料制成，并与所述天线结构匹配。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述毫米波传输构件包括：

具有贯通部分的区域界定构件，所述贯通部分与连接至所述半导体芯片的所述天线结构匹配；以及

所述介电材料，其设置在所述区域界定构件的所述贯通部分中。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，连接至所述半导体芯片的所述天线结构被设置在所述半导体芯片上。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，连接至所述半导体芯片的所述天线结构设置有平板天线。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片包括：

第一信号生成单元，其被构造用于对输入信号执行信号处理并生成毫米波信号；

双向信号耦合单元，其被构造用于将所述半导体芯片耦合至所述天线结构，将由所述第一信号生成单元生成的所述毫米波信号发送至所述毫米波传输构件，并从所述毫米波传输构件接收所述毫米波信号；

第二信号生成单元，其被构造用于对由所述信号耦合单元接收到的所述毫米波信号执行信号处理，并生成输出信号。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一信号生成单元包括第一信号转换部分，所述第一信号转换部分被构造用于将并行输入信号转换为串行输出信号，并且

所述第二信号生成单元包括第二信号转换部分，所述第二信号转换部分被构造用于将串行输入信号转换为并行输出信号。

7.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述天线结构与所述半导体芯片并列地布置。

8.一种毫米波电介质内传输装置，包括：

能够进行毫米波电介质内传输的第一半导体器件，其包括设置在一个衬底上并能够进行毫米波带通信的半导体芯片、连接至所述半导体芯片的天线结构、以及被构造用于覆盖所述半导体芯片并包括允许毫米波信号穿过的电介质的绝缘构件；

能够进行毫米波电介质内传输的第二半导体器件，其包括设置在另一衬底上并能够进行毫米波带通信的半导体芯片、连接至所述半导体芯片的天线结构、以及被构造用于覆盖所述半导体芯片并包括允许毫米波信号穿过的电介质的绝缘构件；以及

毫米波传输构件，其由具有能够进行毫米波电介质内传输的电介质的介电材料制成，并设置在所述第一半导体器件与所述第二半导体器件之间，

其中，所述第一半导体器件以及所述第二半导体器件以将所述毫米波传输构件夹置于两者之间的方式进行安装，使得毫米波信号在所述第一半导体器件的所述天线结构与所述第二半导体器件的所述天线结构之间传输。

9.如权利要求8所述的毫米波电介质内传输装置，其中，所述毫米波传输构件包括：

具有贯通部分的区域界定构件，所述贯通部分与所述第一及第二半导体器件的所述天线结构匹配；以及

介电材料，其设置在所述区域界定构件的所述贯通部分中。

10.如权利要求9所述的毫米波电介质内传输装置，其中，所述天线结构设置在所述半导体芯片上，并且所述第一及第二半导体器件的所述天线结构以将所述毫米波传输构件夹置于两者之间的方式布置。

11.如权利要求10所述的毫米波电介质内传输装置，其中，所述天线结构包括平板天线。

12.如权利要求8所述的毫米波电介质内传输装置，其中，所述第一及第二半导体器件之间的接合部分由具有能够进行毫米波电介质内传输的电介质的介电材料制成，并设置有用作所述毫米波传输构件的粘弹性材料。

13.如权利要求8所述的毫米波电介质内传输装置，其中，所述天线结构与所述半导体芯片并列地布置，并且所述第一及第二半导体器件的所述天线结构以将所述毫米波传输构件夹置于两者之间的方式布置。