[发明专利]嵌段共聚物组合物、薄膜以及嵌段共聚物组合物的制造方法

权利要求书

1.一种嵌段共聚物组合物，其含有下述通式(A)所表示的嵌段共聚物A和，下述通式(B)所表示的嵌段共聚物B而构成，嵌段共聚物A和嵌段共聚物B之间的重量比A/B是36/64～85/15，

Ar1^a-D^a-Ar2^a  (A)

(Ar^b-D^b)_n-X(B)

通式(A)以及(B)中，Ar1^a以及Ar^b分别是重量平均分子量为6000～15000的芳香族乙烯系聚合物嵌段，Ar2^a是重量平均分子量为40000～400000的芳香族乙烯系聚合物嵌段，D^a以及D^b分别是乙烯基键合含有量为1～20摩尔％的共轭二烯聚合物嵌段，X是偶联剂的残基，n是3以上的整数。

2.如权利要求1所述的嵌段共聚物组合物，其中嵌段共聚物组合物的聚合物成分的所有重复单元中，芳香族乙烯系单体单元所占比例是27～70重量％。

3.一种薄膜，该薄膜是将权利要求1或2所述的嵌段共聚物组合物成形而成的。

4.一种如权利要求1或2所述的嵌段共聚物组合物的制造方法，其由下述(1)～(5)的工序所组成，

(1)在溶剂中使用聚合引发剂，聚合芳香族乙烯系单体的工序；

(2)在上述(1)工序中所得到的含有具有活性末端的芳香族乙烯系聚合物的溶液中，加入共轭二烯单体的工序；

(3)在上述(2)工序中所得到的含有具有活性末端的芳香族乙烯-共轭二烯嵌段共聚物的溶液中，以相对于该活性末端的，官能基为未满1摩尔当量的量，加入3官能基以上的偶联剂，形成嵌段共聚物B的工序；

(4)在上述(3)工序中所得到的溶液中，加入芳香族乙烯系单体，形成嵌段共聚物A的工序；

(5)从上述(4)工序中所得到的溶液中，回收嵌段共聚物组合物的工序。

5.一种嵌段共聚物组合物，其含有下述通式(P)所表示的嵌段共聚物P、下述通式(Q)所表示的嵌段共聚物Q以及下述通式(R)所表示的嵌段共聚物R而构成，

Ar1^p-D^p-Ar2^p     (P)

(Ar^q-D^q)₂-X^q     (Q)

(Ar^r-D^r)_m-X^r     (R)

通式(P)、(Q)以及(R)中，Ar1^p、Ar^q以及Ar^r分别是重量平均分子量为6000～20000的芳香族乙烯系聚合物嵌段，Ar2^p是重量平均分子量为40000～400000的芳香族乙烯系聚合物嵌段，D^p、D^q以及D^r分别是乙烯基键合含有量为1～20摩尔％的共轭二烯聚合物嵌段，X^q是单键或者是偶联剂的残基，X^r是偶联剂的残基，m是3以上的整数。

6.如权利要求5所述的嵌段共聚物组合物，其中，嵌段共聚物P的量与，嵌段共聚物Q和嵌段共聚物R的合计量之间的重量比P/(Q+R)是10/90～80/20。

7.如权利要求5或6所述的嵌段共聚物组合物，其中，嵌段共聚物Q的量与，嵌段共聚物R的量之间的重量比Q/R是15/85～85/15。

8.如权利要求5至7中任意一项所述的嵌段共聚物组合物，其中，在嵌段共聚物组合物的聚合物成分的所有重复单元中，芳香族乙烯系单体单元所占比率是27～70重量％。

9.一种薄膜，其是将如权利要求5至8中任意一项所述的嵌段共聚物组合物成形而成的。

10.一种如权利要求5至8中任意一项所述的嵌段共聚物组合物的制造方法，其由下述(6)～(10)工序组成，

(6)溶剂中使用聚合引发剂，聚合芳香族乙烯系单体的工序；

(7)在上述(6)工序中所得到的含有具有活性末端的芳香族乙烯系聚合物的溶液中，加入共轭二烯单体的工序；

(8)在上述(7)工序中所得到的含有具有活性末端的芳香族乙烯-共轭二烯嵌段共聚物的溶液中，以相对于该活性末端的，官能基总量为未满1摩尔当量的量，加入2官能的偶联剂以及3官能以上的偶联剂，形成嵌段共聚物Q以及嵌段共聚物R的工序；

(9)在上述(8)工序中所得到的溶液中，加入芳香族乙烯系单体，形成嵌段共聚物P的工序；

(10)从上述(9)工序所得到的溶液中，回收嵌段共聚物组合物的工序。