[发明专利]具有乱真声学模式抑制的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)设备，包括：

具有相对的第一和第二主侧面和一个或多个边缘的衬底，所述一个或多个边缘界定所述衬底的外周边，所述衬底包括半导体材料；

位于所述衬底的所述第一主侧面上的一个或多个换能器；以及

形成于所述衬底的所述第二主侧面和所述一个或多个边缘中的至少一个中的衰减图案。

2.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述衰减图案包括形成于所述衬底的所述第二主侧面中的凹槽。

3.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述衰减图案包括形成于所述衬底的一个或多个边缘中的至少一个中的一个或多个倒角、圆和锯齿图案。

4.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述衰减图案包括在所述衬底的所述第二主侧面上界定台面的沟槽阵列。

5.根据权利要求4所述的IC设备，其中相邻沟槽或台面之间的距离有所变化。

6.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述衬底包括相对的不平行且不相邻侧面。

7.根据权利要求1所述的IC设备，还包括附着于所述一个或多个边缘中的至少一个的衰减材料，其中所述衰减材料包括聚合物。

8.根据权利要求1所述的IC设备，还包括位于所述衬底的所述第一主侧面和所述一个或多个换能器之间的声学衬底。

9.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述衰减图案包括形成于所述衬底的所述第二主侧面中的凹槽，所述IC设备还包括叠加在所述衬底的所述第二主侧面上的由半导体材料形成的晶片，使得所述凹槽位于所述晶片和所述衬底的第一侧之间。

10.一种用于形成换能器的方法，所述方法包括如下动作：

在半导体衬底上形成边缘，所述边缘界定具有相对的第一和第二主表面的封闭区域；

从所述半导体衬底的所述第二主表面去除部分，以便形成衰减图案，所述衰减图案被配置成使所述半导体衬底中的乱真信号衰减；以及

在所述半导体衬底的所述第一主表面上形成换能器阵列。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括去除所述半导体衬底的所述边缘的部分，以便形成另一衰减图案，所述另一衰减图案被配置成使所述半导体衬底中的乱真信号衰减。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述半导体表面的所述第二主表面上叠加晶片。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括去除一个或多个所述边缘的部分，以在对应边缘中形成锯齿或曲线轮廓。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述去除动作包括形成空隙，所述空隙包括凹槽，所述凹槽界定峰或沟槽，所述峰或沟槽界定台面。

15.一种集成电路(IC)设备，包括：

包括多个压电换能器(PZT)的换能器阵列；

具有由边缘界定的相对的第一和第二主要部分的半导体衬底，所述换能器阵列位于所述第一主要部分上；以及

位于所述半导体衬底的所述第二主要部分上的衰减图案，所述衰减图案被配置成使所述半导体衬底之内的乱真信号衰减。

16.根据权利要求15所述的IC设备，还包括叠加在所述半导体衬底的所述第二主要部分上的晶片。

17.根据权利要求15所述的IC设备，其中所述PZT包括电容性微机械加工的超声波换能器(cMUT)阵列或压电微机械加工的超声波换能器(pMUT)阵列。

16、根据权利要求15所述的IC设备，其中所述半导体衬底的一个或多个边缘包括倒角部分。

17、根据权利要求15所述的IC设备，其中所述衰减图案包括相交的凹槽或沟槽。

18.根据权利要求15所述的IC设备，其中所述衬底的厚度介于30和100微米之间。