[发明专利]用于高温静电卡盘粘合的粘着剂有效
| 申请号: | 200980151495.5 | 申请日: | 2009-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN102257608A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 詹尼弗·Y·孙;赛恩·撒奇;段仁官 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 高温 静电 卡盘 粘合 粘着 | ||
技术领域
本发明一般涉及衬底处理设备。
背景技术
静电卡盘(ESC)可通过例如粘着层耦接至衬底支撑件的部件。随着装置的特征尺寸持续缩小,这种装置藉以制造的制程逐渐需要高温制程。发明人已观察到通常利用于粘合ESC的传统粘着层被更高温度的制程降解且会引发ESC从与其粘合的部件中分层。这种分层可引发制程不均匀的问题以及来自粘着层碎片的颗粒污染。
再者,许多被利用或被开发以制造更小特征结构尺寸组件的制程也利用增大的RF功率,其可进一步恶化前述的温度问题并且也会腐蚀粘着层。
因此,发明人已经提供方法及设备以用于改善ESC卡盘与衬底支撑件部件之间的粘合。
发明内容
提供用于将静电卡盘粘合至衬底支撑件的部件的方法及装置。在某些实施例中,用于粘合衬底支撑件的部件的粘合剂可包含硅基聚合材料的基质,其具有分散于其中的填充物。硅基聚合材料可为聚二甲基硅氧烷(PDMS)结构,该PDMS结构具有低分子量(LMW)的D3至D10的含量总和少于约500ppm的分子量。在某些实施例中,在体积上,该填充物构成粘着层的约50%至约70%。在某些实施例中,该填充物可以包含氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化钇(Y2O3)或其组合的颗粒。在某些实施例中,该填充物可以包含具有约10纳米至约10微米的直径的颗粒。
某些实施例中,衬底支撑件可包含:基座;粘着层,该粘着层包含硅基聚合材料的基质,该基质具有分散其中的填充物;以及静电卡盘,其配置在该基座和该粘着层的顶上,其中,该粘着层将该基座和该静电卡盘粘合。某些实施例中,硅基聚合材料可包含聚二甲基硅氧烷(PDMS)结构,该PDMS结构具有重复的二甲基硅氧烷单元。在某些实施例中,该基质可由聚合材料形成,该聚合材料具有低分子量(LMW)D3至D10的含量总和少于约500ppm的分子量。某些实施例中,粘着层可在大于约摄氏120度的温度下操作。
某些实施例中,将衬底支撑件粘合至静电卡盘的方法包含:在衬底支撑件基座顶上沉积粘着层,该粘着层包含硅基聚合材料的基质,该基质具有分散于其中的填充物;以及利用该粘着层将静电卡盘粘合至该衬底支撑件基座。该粘着层可以是在此揭露的任何粘合剂配方。其它及更进一步的实施例将于后描述。
附图说明
通过参照实施例(其中某些在附图中示出),可得到之前简短总结的本发明的更特别描述,如此,可详细了解之前陈述的本发明的特色。但要考虑的是,附图只示出了本发明的典型实施例,并且因本发明允许其它同等有效的实施例,故不视为其范围限制。
图1根据本发明的某些实施例描绘蚀刻反应器的概略侧视图,该蚀刻反应器具有配置于其中的制程套组。
图2根据本发明的某些实施例描绘衬底支撑件的局部侧视图。
图3描绘用于制造衬底支撑件的方法的流程图。
图4A至图4C根据图3所描绘的方法描绘制造衬底支撑件的阶段。
附图已为清晰起见而经简化,且不依比例绘制。为有助于了解,尽可能使用同一附图标记以指示对于各图共同的同一组件。应认知到在个实施例中公开的组件可有利地并入其它实施例中。
具体实施方式
这里提供了用于将静电卡盘粘合至衬底支撑件的部件的方法和设备。发明方法和设备提供耦接至衬底支撑件的静电卡盘(ESC)并且提供用于制造这些设备的手段,该静电卡盘和手段可有利地容许衬底支撑件在具有例如大于约摄氏120度的温度(或于某些实施例中,该温度高达约摄氏180度)的制程环境中操作。ESC可利用粘合剂耦接至衬底支撑件的基座,该粘合剂可有利地提供高热导度、高剪切应变、高张力应变、低除气性、高纯度和/或高抗等离子体腐蚀性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





