[发明专利]背侧照明的图像传感器

权利要求书

1.一种背侧照明的图像传感器，包括：

基板；

背侧钝化层，设置在所述基板的背侧上；以及

透明导电层，设置在所述背侧钝化层上。

2.如权利要求1所述的背侧照明的图像传感器，其中所述透明导电层是选自由氧化铟锡(ITO)层、氧化锌(ZO)层、氧化锡(SnO)和氧化锌锡(ZTO)层构成的组中的一种。

3.如权利要求2所述的背侧照明的图像传感器，其中所述ITO层被掺杂以选自由钴(Co)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)和铬(Cr)构成的组中的一种。

4.如权利要求2所述的背侧照明的图像传感器，其中所述ZO层被掺杂以选自由镁(Mg)、锆(Zr)和锂(Li)构成的组中的一种。

5.如权利要求1所述的背侧照明的图像传感器，其中所述透明导电层形成至10nm至500nm的厚度。

6.如权利要求1所述的背侧照明的图像传感器，其中所述透明导电层包括多晶硅层或金属层。

7.如权利要求6所述的背侧照明的图像传感器，其中所述多晶硅层形成至约1nm至约40nm的厚度。

8.如权利要求6所述的背侧照明的图像传感器，其中所述贵金属是金(Au)或铂(Pt)。

9.如权利要求6所述的背侧照明的图像传感器，其中所述贵金属形成至约0.1nm至约1nm的厚度。

10.如权利要求1所述的背侧照明的图像传感器，其中所述背侧钝化层具有折射率不同的材料被堆叠的多层结构。

11.如权利要求10所述的背侧照明的图像传感器，其中所述背侧钝化层包括折射率低于所述基板的折射率的层。

12.如权利要求10所述的背侧照明的图像传感器，其中在所述背侧钝化层的层当中，形成得越靠近所述基板背侧的层具有越低的反射率。

13.如权利要求1所述的背侧照明的图像传感器，其中所述背侧钝化层包括：

第一绝缘层，形成在所述基板的所述背侧上；以及

第二绝缘层，形成在所述第一绝缘层之上，并且所述第二绝缘层的折射率高于所述第一绝缘层的折射率。

14.如权利要求13所述的背侧照明的图像传感器，其中所述第一绝缘层包括氧化物层，并且该第二绝缘层包括氮化物层。

15.如权利要求13所述的背侧照明的图像传感器，其中所述第一绝缘层形成至1nm至10nm的厚度。

16.如权利要求15所述的背侧照明的图像传感器，其中所述第二绝缘层形成至10nm至500nm的厚度。

17.如权利要求1所述的背侧照明的图像传感器，其中所述基板包括p型导电材料。

18.一种背侧照明的图像传感器，包括：

光接收元件，设置在第一基板中；

层间绝缘层，设置在具有所述光接收元件的所述第一基板上；

对准键，与所述光接收元件间隔开，并且穿过所述层间绝缘层和所述第一基板；

多个互连层，以多层结构设置在所述层间绝缘层上，其中最下面的互连层的背侧连接到所述对准键；

前侧钝化层，覆盖所述互连层；

背侧钝化层，设置在所述第一基板的所述背侧上；

透明导电层，设置在所述背侧钝化层上，并且连接到所述对准键；以及

彩色滤光片和微透镜，设置在所述透明导电层上以面对所述光接收元件。

19.如权利要求18所述的背侧照明的图像传感器，其中所述透明导电层是选自由ITO层、ZO层、SnO和ZTO层构成的组中的一种。

20.如权利要求19所述的背侧照明的图像传感器，其中所述ITO层被掺杂以选自由Co、Ti、W、Mo和Cr构成的组中的一种。

21.如权利要求19所述的背侧照明的图像传感器，其中所述ZO层被掺杂以选自由Mg、Zr和Li构成的组中的一种。

22.如权利要求18所述的背侧照明的图像传感器，其中所述透明导电层形成至10nm至500nm的厚度。