[发明专利]宽温度范围的近晶型液晶材料

权利要求书

1.用于制备宽温度范围的近晶型液晶材料的方法，所述方法包括采用宽温度范围的向列型混合物，并使用介晶型含硅材料掺杂所述混合物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述介晶型含硅材料是以下通式(I)所示的化合物和/或以下通式(II)所示的化合物：

其中

R¹、R²、R³、R⁴和R⁵各自独立地为具有1至25个C原子的直链或支链烷基基团，其可以是未取代的或者被卤素或CN单取代或多取代的，其还可以以氧原子不直接相互连接的方式，将一个或多个不相邻的CH₂基团替换为-O-、-S-、-NH-、-N(CH₃)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH＝CH-、-CH＝CF-、-CF＝CF-或-C≡C-，其中每种情况彼此独立；

n为0至10的整数；

X是介晶部分；

Sp是任选的间隔基团，其包含0至40个C原子，其中一个或多个不相邻的CH₂基团也可被替换为-O-、-S-、-NH-、-N(CH₃)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH(卤素)-、-CH(CN)-、-CH＝CH-或-C≡C-；

Z是-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH₂CH₂-、-OCH₂-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CH＝CH-、-CH＝CH-COO-、-OCO-CH＝CH-、-C≡C-或单键；

Y是F、Cl、CN、NCS或具有1至25个C原子的直链或支链烷基基团，其可以是未取代的或者被卤素或CN单取代或多取代的，其还可以以氧原子不直接相互连接的方式，将一个或多个不相邻的CH₂基团替换为-O-、-S-、-NH-、-N(CH₃)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH＝CH-、-CH＝CF-、-CF＝CF-或-C≡C-，其中每种情况彼此独立。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述介晶型含硅材料是以下通式(III)所示的化合物和/或以下通式(IV)所示的化合物：

其中n是0至10的整数，A是0至15的整数，X是介晶部分，且Y是氰基、卤素、烷基、烷氧基或酯；所述烷基、烷氧基或酯任选地具有卤素取代基。

4.如权利要求2或3所述的方法，其中X是式(V)的部分：

-B¹-(M-B²)_m-        (V)

其中

M是-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-CF₂CF₂-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝CH-COO-、-OCO-CH＝CH-、-C≡C-或单键，

B¹和B²各自独立地为：1，4-亚苯基，其中的一个或多个CH基团可被N取代；反式-1，4-亚环己基，其中的一个或两个不相邻的CH₂基团可替换为O和/或S；1，4-亚环己基，其中的一个或两个不相邻的CH₂基团可替换为O和/或S；1，4-亚环己烯基、1，4-二环(2，2，2)-辛烯、哌啶-1，4-二基、萘-2，6-二基、十氢-萘-2，6-二基、1，2，3，4-四氢-萘-2，6-二基、环丁-1，3-二基、螺[3.3]庚烷-2，6-二基或二螺[3.1.3.1]癸烷-2，8-二基，所有这些基团都可以是未取代的或者被F、Cl、CN或具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、烷基羰基或烷氧基羰基单取代、二取代、三取代或四取代，其中一个或多个H原子可被F或Cl取代；

m是0、1、2或3。