[发明专利]层叠体及其制造方法、层叠体电路板有效

专利信息
申请号: 200980151211.2 申请日: 2009-12-16
公开(公告)号: CN102256785A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 奥山哲雄;涌井洋行;吉田武史;堤正幸;冈本淳;土屋俊之;前田乡司 申请(专利权)人: 东洋纺织株式会社
主分类号: B32B17/10 分类号: B32B17/10;B32B7/06;B32B15/088;B32B18/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 及其 制造 方法 电路板
【权利要求书】:

1.一种层叠体,其特征在于,其是选自玻璃板、陶瓷板、硅晶片中的一种无机层与聚酰亚胺膜在不介由粘接剂层的情况下层叠而成的层叠体,该聚酰亚胺膜是通过芳香族四羧酸类与芳香族二胺类的反应得到的,且聚酰亚胺膜的线膨胀系数在膜的长度方向和宽度方向均为-5ppm/℃~+10ppm/℃,层叠体的膜与无机层的180度剥离强度为0.5N/cm以上3N/cm以下。

2.如权利要求1所述的层叠体,其中,聚酰亚胺膜是通过芳香族四羧酸类与具有苯并噁唑结构(骨架)的芳香族二胺类的反应而得到的聚酰亚胺膜。

3.如权利要求1~2中任一项所述的层叠体,其中,聚酰亚胺膜的厚度为1μm~50μm。

4.如权利要求1~3中任一项所述的层叠体的制造方法,其特征在于,对线膨胀系数为-5ppm/℃~+10ppm/℃的通过芳香族四羧酸类和芳香族二胺类的反应得到的聚酰亚胺膜的面进行等离子体处理,另一方面,对选自玻璃板、陶瓷板、硅晶片中的一种无机层进行硅烷偶联处理,使聚酰亚胺膜的等离子体处理面与无机层的硅烷偶联处理面重合,并通过对两者加压来层叠。

5.一种层叠体,其特征在于,其是至少由无机层和聚酰亚胺膜构成的层叠体,该层叠体是无机层的一个面与聚酰亚胺膜的一个面在不介由粘接剂层的情况下贴合而成的层叠体,所述无机层为选自玻璃板、陶瓷板、硅晶片中的一种,聚酰亚胺膜为通过芳香族四羧酸类和芳香族二胺类的反应而得到、且线膨胀系数在膜的长度方向和宽度方向均为-5ppm/℃~+10ppm/℃的聚酰亚胺膜,层叠体的膜与无机层的180度剥离强度为0.5N/cm以上3N/cm以下,贴合有聚酰亚胺膜的面的表面粗糙度以P-V值计为15nm以下。

6.如权利要求5所述的层叠体,其特征在于,在无机层与聚酰亚胺膜层之间具有硅烷偶联层,该硅烷偶联层的厚度为100nm以下。

7.如权利要求5~6中任一项所述的层叠体,其特征在于,聚酰亚胺膜是通过芳香族四羧酸类与具有苯并噁唑结构(骨架)的芳香族二胺类的反应而得到的聚酰亚胺膜。

8.如权利要求5~7中任一项所述的层叠体,其特征在于,聚酰亚胺膜的厚度为1μm~50μm。

9.如权利要求5~8中任一项所述的层叠体的制造方法,其特征在于,其是至少由无机层和聚酰亚胺膜构成的层叠体的制造方法,该聚酰亚胺膜通过芳香族四羧酸类与芳香族二胺类的反应得到,且30℃~300℃的线膨胀系数在膜的长度方向和宽度方向均为-5ppm/℃~+10ppm/℃,并且至少一个面的表面粗糙度以P-V值计为15nm以下,

该无机层通过对选自玻璃板、陶瓷板、硅晶片中的一种无机层的至少一个面进行硅烷偶联处理而成,

使该聚酰亚胺膜的表面粗糙度以P-V值计为15nm以下的一个面与该无机层的硅烷偶联处理过的面重合,并通过对两者进行加压来层叠。

10.一种层叠体,其特征在于,其是至少由无机层和聚酰亚胺膜构成的层叠体,该聚酰亚胺膜是通过芳香族四羧酸类与具有苯并噁唑结构(骨架)的芳香族二胺类的反应得到的聚酰亚胺膜,在该无机层与该聚酰亚胺膜层之间具有硅烷偶联层,该硅烷偶联层的厚度为100nm以下,该层叠体是将选自玻璃板、陶瓷板、硅晶片、金属中的一种无机层的一个面与至少1张该聚酰亚胺膜介由该硅烷偶联层贴合而成的层叠体,该膜的长度方向与宽度方向的线膨胀系数均为-4ppm/℃~+4ppm/℃,层叠体的膜与无机层的180度剥离强度为1.5N/cm以上10N/cm以下,且存在沿该聚酰亚胺膜的膜厚方向贯通的非聚酰亚胺部分。

11.如权利要求10所述的层叠体,其中,(无机层的长度方向的线膨胀系数-膜的长度方向的线膨胀系数)的值与(无机层的宽度方向的线膨胀系数-膜的宽度方向的线膨胀系数)的值均为-10ppm/℃~+30ppm/℃。

12.如权利要求10~11中任一项所述的层叠体,其特征在于,该聚酰亚胺膜的厚度为1μm~50μm,与无机层相接侧的聚酰亚胺层的至少距离表面3μm的表层部分中不含有具有20nm以上的长径的粒子。

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