[发明专利]用于捕捉通过生物介质的声和电磁场的作用在初始晶体结构中诱导的变化的方法和用于执行所述方法的装置、用于在复制晶体的结构中复制初始晶体结构的变化的方法(变型)和用于执行所述方法的装置(变型)、用于对生物对象施加影响的方法(变型)和用于执行所述方法的装置无效

专利信息
申请号: 200980150452.5 申请日: 2009-10-28
公开(公告)号: CN102256664A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 列夫·达维多维奇·拉斯涅特索夫;I·Y·沙瓦特斯曼;V·V·车尔潘尼可夫;V·M·穆德罗夫;M·E·韦诺库罗夫 申请(专利权)人: 列夫·达维多维奇·拉斯涅特索夫
主分类号: A61N5/00 分类号: A61N5/00;A61N7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张阳
地址: 俄罗斯联邦*** 国省代码: 俄罗斯;RU
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摘要:
搜索关键词: 用于 捕捉 通过 生物 介质 电磁场 作用 初始 晶体结构 诱导 变化 方法 执行 装置 复制
【权利要求书】:

1.一种用于捕捉通过生物介质的声和电磁场的作用在初始晶体结构中诱导的变化的方法,所述方法包括:使用其结构包括至少一个半导体结的晶体,将所述晶体定位在与置于容器中的所述生物介质直接接触的绝缘板上,并且通过将所述晶体结构的半导体结暴露于截止极性电脉冲来捕捉所述晶体结构中的变化。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述绝缘板由具有不大于30dB/cm的声波吸收系数和不大于0.1奈培的电磁波吸收系数的材料制造。

3.根据权利要求1和2中的任一项所述的方法,其特征在于,所述晶体的半导体结暴露于具有3-4V的幅度和0.1-1秒的持续时间的方形电脉冲的作用。

4.根据权利要求1和2中的任一项所述的方法,其特征在于,生物介质预先暴露于灭活剂的作用,并且在所述生物介质的场的峰值水平处执行所述晶体结构的激励,所述峰值水平在所使用的灭活剂的作用下根据所使用的生物介质的类型通过实验确定。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,生物介质预先暴露于灭活剂的作用,并且在所述生物介质的场的峰值水平处执行所述晶体结构的激励,所述峰值水平在所使用的灭活剂的作用下根据所使用的生物介质的类型通过实验确定。

6.一种用于在复制晶体结构中复制发生在初始晶体结构中的变化的方法,所述方法包括:使用其结构包括至少一个半导体结的晶体,其中通过根据权利要求1、2、3、4和5中的任一项所述的方法在所述初始晶体结构中捕捉通过生物介质的声和电磁场的作用诱导的变化;将两晶体都定位在注水中空绝缘筒的一个面上;并在随后将所述初始晶体的半导体结重复暴露于正极性再现脉冲,其后将所述复制晶体的半导体结暴露于捕捉截止极性脉冲。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述绝缘筒由具有不大于30dB/cm的声波吸收系数和不大于0.1奈培的电磁波吸收系数的材料制造。

8.根据权利要求6和7中的任一项所述的方法,其特征在于,所述晶体的半导体结暴露于具有3-4V的幅度和0.1-1秒的持续时间的方形电脉冲的作用。

9.一种用于在复制晶体结构中复制发生在初始晶体结构中的变化的方法,所述方法包括:使用其结构包括至少一个半导体结的晶体,其中通过根据权利要求1、2、3、4和5中的任一项所述的方法在所述初始晶体结构中捕捉通过生物介质的声和电磁场的作用诱导的变化;将所述复制晶体定位在与置于容器中的生物介质直接接触的绝缘板上,其中将所述初始晶体的半导体结重复暴露于正极性再现脉冲的作用,生成的电流振荡调制大功率半导体激光器的光通量以曝光置于具有辐射对称形状的容器中的液体介质,其后将所述复制晶体的半导体结暴露于捕捉截止极性脉冲的作用。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述绝缘板由具有不大于30dB/cm的声波吸收系数和不大于0.1奈培的电磁波吸收系数的材料制造。

11.根据权利要求9和10中的任一项所述的方法,其特征在于,所述晶体的半导体结暴露于具有3-4V的幅度和0.1-1秒的持续时间的方形电脉冲的作用。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,优选的液体介质是生理盐水。

13.一种用于对生物对象造成影响的方法,包括:使用其结构包括至少一个半导体结的晶体作为暴露源,通过根据权利要求1、2、3、6和9中的任一项所述的方法通过所述晶体结构捕捉通过生物介质的声和电磁场的作用诱导的变化;将所述晶体定位在充满水性介质的中空绝缘筒的一个面上,该绝缘筒具有与所述生物对象直接接触的另一个面,并且将所述晶体的半导体结重复暴露于正极性电脉冲。

14.根据权利要求13所述的方法,其特征还在于,在所述晶体出口获得的电流振荡调制发光二极管的光通量以曝光水性介质。

15.根据权利要求13和14中任一项所述的方法,其特征在于,所述绝缘筒由具有不大于30dB/cm的声波吸收系数和不大于0.1奈培的电磁波吸收系数的材料制造。

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