[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包含：

基板；

含有发光层并层叠于所述基板上的叠层半导体层；

含有铟氧化物并层叠于所述叠层半导体层上的透明电极；

接合层，该接合层含有选自阀作用金属中的至少一种元素，并且以与所述透明电极接触的一侧含有该元素的氧化物或者氮化物的至少任一方的方式层叠于该透明电极上；以及

层叠于所述接合层上，用于与外部电连接的连接电极。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述接合层含有选自Al、Ti、Zn、Zr、Nb、W、Mg、Bi、Si、Hf、Ta中的至少一种元素。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述接合层含有所述元素的氮化物的情况下，所述接合层含有选自Ta、W、Ti中的至少一种元素。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述接合层含有所述元素的氧化物的情况下，所述接合层含有选自Ta、Nb、Ti中的至少一种元素。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述连接电极具有由Au、Al或者含有这些金属中的任一种的合金形成的接层。

6.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述连接电极还具有层叠于所述接合层与所述接层之间的阻挡层，

所述阻挡层是由Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ti、W、Mo、Ni、Co、Zr、Hf、Ta、Nb之中的任一种或者含有这些金属中的任一种的合金形成的层。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透明电极含有所述铟氧化物以及锌氧化物而构成。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述叠层半导体层采用III族氮化物半导体构成。

9.一种半导体发光元件，包含：

基板；

具有发光层的采用III族氮化物半导体构成并层叠于所述基板上的叠层半导体层；

接合层，该接合层含有选自阀作用金属中的至少一种元素，并且以与所述叠层半导体层之中的一个半导体层接触的一侧含有该元素的氧化物或者氮化物的至少任一方的方式层叠于该一个半导体层上；以及

层叠于所述接合层上，用于与外部电连接的连接电极。

10.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，所述接合层含有选自Al、Ti、Zn、Zr、Nb、Mg、Bi、Si、Hf、Ta中的至少一种元素。

11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其特征在于，所述接合层含有选自Ta、Nb、Ti中的至少一种元素。

12.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，所述连接电极具有由Au、Al或者含有这些金属中的任一种的合金形成的接层。

13.根据权利要求12所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述连接电极还具有层叠于所述接合层与所述接层之间的阻挡层，

所述阻挡层是由Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ti、W、Mo、Ni、Co、Zr、Hf、Ta、Nb之中的任一种或者含有这些金属中的任一种的合金形成的层。

14.一种半导体发光元件，具有：

具有第1导电类型的第1半导体层；

层叠于所述第1半导体层上的发光层；

层叠于所述发光层上，并具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层；

透明电极，该透明电极层叠于所述第2半导体层上，含有铟氧化物并且对从所述发光层输出的光具有透光性；

第1接合层，该第1接合层含有选自阀作用金属中的至少一种元素，并且以与所述透明电极接触的一侧含有该元素的氧化物或者氮化物的至少任一方的方式层叠于该透明电极上；

层叠于所述第1接合层上，用于与外部电连接的第1连接电极；

第2接合层，该第2接合层含有选自阀作用金属中的至少一种元素，并且以与所述第1半导体层接触的一侧含有该元素的氧化物或者氮化物的至少任一方的方式层叠于所述第1半导体层上；以及

层叠于所述第2接合层上，用于与外部电连接的第2连接电极。