[发明专利]用于在基底器件中包括电压可切换保护材料的几何和电场考量有效
| 申请号: | 200980150252.X | 申请日: | 2009-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN102246247A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | L·科索斯盖;R·弗莱明;史宁 | 申请(专利权)人: | 肖克科技有限公司 |
| 主分类号: | H01C7/12 | 分类号: | H01C7/12 |
| 代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 郑建晖;杨勇 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 基底 器件 包括 电压 切换 保护 材料 几何 电场 考量 | ||
1.一种基底器件,包括:
一个或多个非线性的电阻瞬态保护材料层;
多个导电元件,被分布作为所述基底器件的导电层的一部分,以便与至少一个瞬态保护材料层相接触,所述多个导电元件包括被间隔开以形成间隙的一对导电元件,但是当所述瞬态保护材料导电时,该对导电元件电连接;
其中形成所述间隙的该对导电元件包括一个或多个结构特征,所述一个或多个结构特征改变该对导电元件中的一个或者两者的厚度或表面形貌。
2.根据权利要求1所述的基底器件,其中所述瞬态保护材料包括电压可切换电介质材料。
3.根据权利要求1所述的基底器件,其中该对导电元件包括一个或多个结构特征,所述一个或多个结构特征对应于具有凸起部分的该对导电元件中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的基底器件,其中该对导电元件包括一个或多个结构特征,所述一个或多个结构特征对应于在导电元件的至少一部分上具有粗糙表面的该对导电元件中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的基底器件,其中所述粗糙表面是由于在包括该对导电元件的导电层的一部分上执行的机械或化学蚀刻过程的结果。
6.根据权利要求1所述的基底器件,其中该对导电元件包括一个或多个结构特征,所述一个或多个结构特征对应于具有延伸部的该对导电元件中的至少一个,所述延伸部(i)至少局部地延伸通过至少一个瞬态保护材料层,并且(ii)至少局部地延伸跨越所述间隙。
7.根据权利要求1所述的基底器件,进一步包括一个或多个电介质材料层,该一个或多个电介质材料层包括一个与所述导电层的导电元件接触的电介质材料层。
8.根据权利要求7所述的基底器件,进一步包括电阻材料层,该电阻材料层被定位在所述导电层和所述电介质材料层之间。
9.根据权利要求8所述的基底器件,其中所述电阻性材料层由电介质材料组成。
10.一种基底器件,包括:
一个或多个非线性的电阻瞬态保护材料层;
多个导电元件,被分布作为所述基底器件的导电层的一部分,以便与至少一个瞬态保护材料层相接触,所述多个导电元件包括被间隙所间隔开的一对导电元件,但是当所述瞬态保护材料导电时,该对导电元件电连接;以及
一个或多个附加的导电元件,被定位为在所述间隙上方竖直地对准和/或延伸通过所述间隙,而不接触该对导电元件。
11.根据权利要求10所述的基底器件,其中所述一个或多个附加的导电元件通过所述瞬态保护材料层的至少一部分与所述导电层分隔,以便在所述间隙上方或者所述间隙下方对准。
12.根据权利要求10所述的基底器件,其中所述一个或多个附加的导电元件包括延伸通过所述间隙的通路。
13.根据权利要求10所述的基底器件,其中在所述瞬态保护材料层的对应部分不导电时,所述通路或者该对导电元件中的至少一个形成所述基底器件接地的一部分。
14.根据权利要求10所述的基底器件,进一步包括一个或多个电介质材料层,所述一个或多个电介质材料层包括一个与所述导电层的导电元件相接触的电介质材料层。
15.根据权利要求14所述的基底器件,进一步包括电阻材料层,该电阻材料层被定位在所述导电层和所述电介质材料层之间。
16.根据权利要求15所述的基底器件,其中所述电阻材料层由电介质材料组成。
17.根据权利要求10所述的基底器件,其中所述瞬态保护材料层包括电压可切换电介质材料。
18.一种基底器件,包括:
一个或多个非线性的电阻瞬态保护材料层;
多个导电元件,被分布作为所述基底器件的导电层的一部分,以便与至少一个瞬态保护材料层相接触,所述多个导电元件包括被间隙分隔开的一对导电元件,但是当所述瞬态保护材料导电时,该对导电元件电连接;
一个或多个介电的、非导电材料层,与至少一个所述瞬态保护层或所述导电层的导电元件相接触,所述一个或多个介电的、非导电材料包括具有高击穿强度的材料层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肖克科技有限公司,未经肖克科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980150252.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





