[发明专利]衬底冷却装置及衬底处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种衬底冷却装置及衬底处理系统。

背景技术

公知有一种对晶片、玻璃衬底等的衬底实施等离子体处理、热处理等的衬底处理装置。此时，例如在电子设备的制造等中，在抑制了尘粒数的无尘室内进行针对衬底的处理。而且近年来，为了在无尘室内的衬底搬运时抑制尘粒等附着在衬底上，开始使用被称为前开式晶片盒(FOUP：Front Opening Unified Pod)的密闭型容器。

在此，通常前开式晶片盒由树脂材料形成的情况较多，耐热温度较低。因此，如果直接收纳刚刚处理之后的温度高的衬底，则前开式晶片盒有可能变形或破损。

于是，提出了用于使完成处理后的衬底的温度降低的冷却装置(参照专利文献1、2)。

专利文献1公开有一种衬底处理装置，其具备向衬底喷射气体的冷却气体喷射喷管。根据该衬底处理装置，能够使完成处理后的衬底的温度降低。但是，在所喷射的气体沿衬底的主面上流动的期间气体温度上升，下游侧的冷却效果有可能会降低。因此，有可能无法实现缩短冷却时间。

而且在专利文献2中，公开有通过使制冷剂流入内部而冷却所载放的衬底的冷却台。根据该冷却台，能够使完成处理后的衬底的温度降低。但是，冷却台仅设置在衬底的一个主面侧，冷却效果有可能会降低。因此，有可能无法实现缩短冷却时间。此时，如果使冷却台和衬底之间的接触面积增加，则能够使基于热传导的换热增加。然而，如果使基于热传导的换热增加，则由于冷却速度变得过快，因此有可能会对衬底产生损伤。而且，如果使接触面积增加，则有可能会成为伤痕、尘粒等的产生原因。

专利文献1：日本国特开2005-50955号公报

专利文献2：日本国特开2000-323549号公报

发明内容

本发明提供一种衬底冷却装置及衬底处理系统，能够缩短使完成处理后的衬底冷却的时间。

根据本发明的一个方式，提供一种衬底冷却装置，是进行完成处理后的衬底的冷却的衬底冷却装置，其特征在于，具备：框体，在内部具有收纳衬底的空间；一对保持部，相互相对地设置在所述框体的内壁上，具有支撑所述衬底的端部附近的槽部；及具有冷却单元的一对冷却部，夹着所述一对保持部设置在与所述保持部所相互相对的方向交叉的方向上。

另外，根据本发明的另一个方式，提供一种衬底处理系统，其特征在于，具备：处理装置，进行衬底的处理；收纳装置，收纳所述衬底；上述的衬底冷却装置；及搬运装置，在所述处理装置、所述收纳装置、所述衬底冷却装置之间进行所述衬底的搬运。

根据本发明，提供一种衬底冷却装置及衬底处理系统，能够缩短使完成处理后的衬底冷却的时间。

附图说明

图1是用于例示本发明第1实施方式所涉及的衬底冷却装置的模式图。

图2是图1的A-A箭头剖视图。

图3是用于例示本发明第2实施方式所涉及的衬底冷却装置的模式图。

图4是图3的B-B箭头剖视图。

图5是用于例示本发明第3实施方式所涉及的衬底处理系统的模式图。

图6是用于例示处理室的构成的模式剖视图。

图7是用于例示衬底处理系统的作用的模式图。

图8是用于例示衬底处理系统的作用的模式图。

符号说明

1-衬底冷却装置；2-空间；2a-空间；3-保持部；4-槽部；5-冷却部；6-流路；10-框体；10a-内壁；11-衬底冷却装置；12-气体排出单元；12a-空间；12b-排气口；13-气体排出口；14-气体导入单元；14a-喷出口；21-处理装置；100-衬底处理系统；101-搬运装置；103-收纳装置；G-气体；R-制冷剂；W-衬底。

具体实施方式

下面，参照附图例示本发明的实施方式。另外，对各附图中相同的构成要素标注相同的符号并适当省略详细的说明。

图1是用于例示本发明第1实施方式所涉及的衬底冷却装置的模式图。另外，图1中的箭头X、箭头Y、箭头Z表示相互正交的三个方向，箭头X、箭头Y表示水平方向，箭头Z表示铅垂方向。

另外，图2是图1的A-A箭头剖视图。

如图1、图2所示，衬底冷却装置1具备框体10，其Y方向的一个端部侧开口，用于向内部插入衬底W，且在内部具有收纳衬底W的空间2。而且，框体10的内壁10a上设置有一对保持部3，其被设置为相互相对，且具有支撑衬底W的端部附近的槽部4。而且，设置于保持部3的槽部4也以相互相对的方式而各设置一对。