[发明专利]深沟槽背接触光伏太阳能电池

权利要求书

1.一种用半导体晶圆制作光伏聚光太阳能电池的方法，所述晶圆包括正面和背面，所述方法包括以下步骤：

(a)掺杂所述晶圆的背面以提供在所述晶圆背面的第一掺杂区域；

(b)在所述背面和所述正面沉积钝化层；

(c)在所述背面形成穿过所述钝化层的深沟槽；

(d)掺杂所述背面以提供在所述深沟槽内的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域的掺杂与所述第一掺杂区域的掺杂相反；

(e)形成穿过所述背面钝化层并到达所述第一掺杂区域的开口；和

(f)在所述背面形成电触点以电连接所述第一掺杂区域和第二掺杂区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一掺杂区域和第二掺杂区域的电触点之间通过刻划所述背面来实现电绝缘。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述电触点在步骤(f)中采用非电镀的方法形成。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述非电镀的方法包括以下一个或多个步骤：

(i)非电镀镍沉积；

(ii)非电镀镍固化；

(iii)非电镀铜沉积，和；

(iv)在铜表面进行银钝化。

5.如以上任一权利要求所述的方法，其中，所述步骤(a)中背面的掺杂是通过涂敷掺杂物源物质和加热实现的。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述晶圆被加热到大约1000℃。

7.如权利要求5或6所述的方法，其中，所述加热是采用直通炉的方式实现的。

8.如权利要求5或6所述的方法，其中，所述加热是在晶体管式炉中进行的。

9.如权利要求5-8中任一项所述的方法，其中，所述加热维持到产生100Ω/方块的扩散所需的时间。

10.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，所述步骤(b)中沉积的钝化层使所述正面和背面的复合速度低于500cm/s。

11.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，所述步骤(c)中的沟槽是采用脉冲激光、水射流、激光微射流或金刚石刻划形成的。

12.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，所述步骤(c)中的深沟槽深至所述晶圆正面的一个扩散长度内。

13.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，所述背面上形成有多个沟槽。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述沟槽之间的间隔等距，该间隔小于两个扩散深度的距离。

15.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，在步骤(d)中，所述掺杂物在沟槽内的扩散达到一个结深，足以提供小于100Ω/方块的表面电阻。

16.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，在步骤(e)中，所述开口是通过脉冲激光、水射流、激光微射流或金刚石刻划的方式穿过所述背面钝化层形成的。

17.如权利要求1-15任一项所述的方法，其中，在步骤(e)中，所述开口是通过对所述钝化层进行丝网印刷刻蚀的方法穿过所述背面形成的。

18.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，在所述沟槽之间形成多个穿过所述背面的长开口。

19.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一掺杂区域的类型和所述晶圆的相同。

20.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一掺杂区域为p⁺型掺杂区域。

21.如上述任一项权利要求所述的方法，其中，一个晶圆上形成有多个太阳能电池形。

22.如权利要求21所述的方法，其中，在步骤(f)之后，所述晶圆被刻划和切割成多个独立于所述晶圆的太阳能电池。