[发明专利]从静电夹盘对晶片解除箝制

权利要求书

1.一种用于解除对晶片的箝制的方法，该晶片通过箝制电压而电粘附至静电夹盘的表面，该方法包括：

撤销该箝制电压；

在该撤销之后的一段时间上，将该晶片的第一区域从静电夹盘的表面提升第一距离，同时晶片的第二区域保持粘附至静电夹盘的表面；

在该段时间期间监视预定条件；以及

当满足该预定条件时，将第二区域从静电夹盘的表面提升。

2.如权利要求1所述的方法，其中监视预定条件包括：

确定在该晶片与该静电夹盘之间测量的电容与阈值相比是否是有利的。

3.如权利要求1所述的方法，其中监视预定条件包括：

提供交流(AC)电压以测量在该晶片与该静电夹盘之间的电容；以及

比较该测量到的电容与阈值。

4.如权利要求1所述的方法，其中监视预定条件包括：

确定所述时间与预定期满时间相比是否是有利的。

5.如权利要求1所述的方法，其中第一距离大于大约0.1毫米且小于大约5毫米。

6.如权利要求1所述的方法，其中箝制电压为直流(DC)电压。

7.如权利要求1所述的方法，其中箝制电压为交流(AC)电压。

8.如权利要求7所述的方法，其中AC电压为多相AC电压，其建立用于将该晶片粘附至该静电夹盘的表面的近似恒定力。

9.如权利要求1所述的方法，其中第一区域对应于晶片的外边缘区域。

10.如权利要求9所述的方法，其中第二区域对应于晶片的中心区域。

11.一种用于处理晶片的系统，包括：

静电夹盘，包括可操作以在晶片与静电夹盘的表面之间提供静电箝制力的一个或多个电极；

电源，被配置为将箝制电压提供至该一个或多个电极；以及

提升组件，被适配为在第一时间期间将晶片的第一区域从静电夹盘的表面提升第一距离，同时晶片的第二区域保持在该表面上，且进一步被适配为当满足预定条件时从该表面提升整个晶片；

控制器，被适配为监视所述预定条件，且在满足该预定条件时将控制信号提供至提升组件以从该表面提升整个晶片。

12.如权利要求11所述的系统，其中提升组件为机械提升组件。

13.如权利要求12所述的系统，其中机械提升组件包括至少一个插脚，该至少一个插脚被适配为从静电夹盘的所述表面可移动地延伸以从该表面提升晶片。

14.如权利要求12所述的系统，其中组件包括臂，该臂被适配为抓住晶片且从静电夹盘的表面提升该晶片。

15.如权利要求11所述的系统，其中提升组件包括以下中至少一个：被适配为提供静电力以提升晶片的静电提升组件，或被适配为提供磁力以提升晶片的磁性提升组件。

16.如权利要求11所述的系统，其中提升组件包括被适配为提升晶片的加压气体供应器。

17.如权利要求11所述的系统，其中静电夹盘的表面包括平板。

18.如权利要求11所述的系统，其中控制器被适配为通过确定在晶片与静电夹盘之间测量的电容与阈值相比是否有利，来监视预定条件。

19.如权利要求11所述的系统，其中控制器被适配为通过确定自所述第一时间起测量的时间与预定期满时间相比是否有利，来监视预定条件。

20.一种用于解除半导体晶片的箝制的方法，该半导体晶片通过箝制电压而电粘附至静电夹盘的表面，该方法包括：

撤销箝制电压；

在该撤销之后的一段时间上，将晶片的第一区域从静电夹盘的表面机械地提升，同时晶片的第二区域保持粘附至静电夹盘的表面；

在该段时间期间监视晶片与静电夹盘之间的电容；及

当该电容与阈值水平有利地相关时，将晶片的第二区域从静电夹盘的表面提升，以将晶片从静电夹盘完全移除。