[发明专利]复合高反射层

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)芯片，包括：

有源区，位于两个相对的掺杂层之间；以及

复合高反射层，布置成反射从所述有源区发射的光，所述复合层包括：

第一层；

位于所述第一层上的一个或多个第二层以及多个第三层，所述第二层具有不同于第三层的折射率，所述第二层和第三层交替布置，并且每个第三层具有与其他的所述第三层不同的厚度；以及

位于所述第二层和第三层的最上面的反射层。

2.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述第一层具有的厚度是所述第二层和第三层的厚度的至少四倍。

3.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述第一层具有的厚度是所述第二层和第三层的厚度的至少三倍。

4.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述第一层提供一反射率视角分界，在所述反射率视角分界之上，所述复合层的反射率约为100％。

5.根据权利要求书4所述的LED芯片，其中，与不具有所述第二层和第三层的复合层相比，所述第二层和第三层在所述视角分界之下提供改进的反射率。

6.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述一个或多个第二层包括具有不同厚度的两个层。

7.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述一个或多个第二层包括位于所述多个第三层之间的一个层。

8.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述复合层包括比具有同样数量的层的四分之一波长的分布式布拉格反射体大的角度平均反射率。

9.根据权利要求书1所述的LED芯片，还包括穿过所述复合层的导电通孔。

10.根据权利要求书1所述的LED芯片，还包括电流扩散层，以扩散经过所述复合层的电流。

11.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述一个或多个第二层和所述多个第三层包括不完全的第二层对和第三层对。

12.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述复合层位于所述LED芯片的内部。

13.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述复合层位于所述LED芯片的外表面上。

14.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述有源层发射蓝光，并且其中，所述第一层具有500nm至650nm范围内的厚度。

15.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述有源层发射蓝光，并且其中，所述一个或多个第二层包括厚度分别为100nm至120nm和约40nm至60nm范围内的两个层。

16.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述有源层发射蓝光，并且其中，所述第三层包括厚度分别为55nm至75nm和35nm至55nm范围内的两个层。

17.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述第一层和所述一个或多个第二层包含SiO₂。

18.根据权利要求书1所述的LED芯片，其中，所述第三层包含TiO₂或Ta₂O₅。

19.一种发光二极管(LED)芯片，包括：

子底座，LED安装在所述子底座上；以及

复合高反射层，布置于所述子底座和所述LED之间，以反射LED光，所述复合层包括多个层和穿过所述复合层的导电路径，电信号能够通过该复合层到达所述LED。

20.根据权利要求书19所述的LED芯片，其中，所述复合层包括第一层、位于所述第一层上的一个或多个第二层以及多个第三层，所述第二层具有不同于第三层的折射率，所述复合层还包括位于所述第二层和第三层的最上面的反射层。

21.根据权利要求书20所述的LED芯片，其中，所述一个或多个第二层和所述多个第三层包括不完全的第二层对和第三层对。

22.根据权利要求书20所述的LED芯片，其中，所述多个第三层包括两个第三层，并且所述一个或多个第二层包括夹在所述两个第三层之间的一个层。