[发明专利]静电感应型的能量变换元件

权利要求书

1.一种能量变换元件，其特征在于，

该能量变换元件具有隔开预定间隔对置、且能彼此相对移动的第1基板和第2基板，

在所述第1基板和所述第2基板的彼此对置的面上分别形成有至少一个导电性部件，

所述导电性部件均具有多个电极和电极焊盘，

在所述导电性部件中的至少一个导电性部件上，对应于各电极形成有驻极体，

所述驻极体覆盖各电极的表面中的固定在任一基板上的面的相反面，并以5μm以上的覆盖厚度覆盖各电极的外周面。

2.根据权利要求1所述的能量变换元件，其特征在于，形成有所述驻极体的电极的外周面被驻极体以10μm以上的覆盖厚度覆盖。

3.根据权利要求1所述的能量变换元件，其特征在于，所述第1基板和所述第2基板中的至少一个基板具有相互平行地凹进设置的多个槽，在该槽内配设所述电极，在该槽内埋设所述驻极体并由驻极体覆盖所述槽内的电极。

4.根据权利要求3所述的能量变换元件，其特征在于，所述槽的垂直于其长度方向的截面是内角部弯曲的矩形形状。

5.根据权利要求3所述的能量变换元件，其特征在于，所述槽的垂直于其长度方向的截面是开口部的宽度比底面的宽度宽的梯形形状。

6.根据权利要求3所述的能量变换元件，其特征在于，所述槽的垂直于其长度方向的截面是在开口侧变宽的三角形状。

7.根据权利要求3所述的能量变换元件，其特征在于，

具有所述槽的基板由玻璃基板、半导体基板或者树脂基板构成，

所述槽是在该基板上通过干式蚀刻来凹进设置的。

8.根据权利要求3所述的能量变换元件，其特征在于，

具有所述槽的基板或者该基板的一部分由树脂材料形成，

所述槽是在使所述树脂材料成形时使用转印技术来凹进设置的。

9.根据权利要求3所述的能量变换元件，其特征在于，

具有所述槽的基板由Si基板构成，

所述槽是在该基板上使用各向异性蚀刻来凹进设置的，

在所述槽的表面形成有由SiO₂、SiN或者SiON构成的绝缘膜。

10.根据权利要求1所述的能量变换元件，其特征在于，在所述第1基板和所述第2基板中的至少一个基板的对置面上，所述导电性部件的除了形成有所述电极焊盘的区域以外的区域全体被绝缘覆膜覆盖。

11.根据权利要求1所述的能量变换元件，其特征在于，仅未被所述驻极体覆盖的电极被绝缘覆膜覆盖。

12.根据权利要求1所述的能量变换元件，其特征在于，

在相邻的所述驻极体间设有保护电极，

在所述第1基板和所述第2基板中的至少一个基板中，仅未被所述驻极体覆盖的电极和所述保护电极被绝缘覆膜覆盖。

13.根据权利要求10至12中的任一项所述的能量变换元件，其特征在于，所述绝缘覆膜由绝缘性高分子材料构成。

14.根据权利要求10至12中的任一项所述的能量变换元件，其特征在于，所述绝缘覆膜由SiO₂、SiN、SrTiO₃、SiON、TiO₂等绝缘性无机材料构成。