[发明专利]针对阵列缺陷使用高效管理方法的非易失性存储器(NVM)中的连续地址空间

权利要求书

1.一种对具有有缺陷的块的非易失性存储器(NVM)进行编程的方法，包括：

分配更换重定向块地址，用于对打算要在所述坏块中编程的数据进行编程；

其中，分配更换重定向块包括：

对所述NVM的扩展快速存取存储器(FAM)表内的简明表中的信息进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

当在编程期间遇到坏块时，使用坏块的数量来对计数器进行更新。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，更新计数器包括更新非易失性存储器中的单个比特。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述NVM的扩展FAM段内的简明表中的信息进行编程的步骤包括所述被重定向的块的原始地址和重定向地址。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述NVM的扩展FAM段内的简明表中的信息进行编程的步骤是在所有用户的数据已经被编程到所述NVM之后完成的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述NVM的扩展FAM段内的简明表中的信息进行编程的步骤是在所述NVM晶片被锁定之后完成的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，包括所述被重定向的块的原始地址和重定向地址的所述简明表包括根据原始块的地址分类的表。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述简明表包括多个条目，其中，单个条目对应于至少单个坏块。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述简明表包括多个条目，单个条目对应于单个坏块。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述简明表中的所述条目由至少32个比特组成。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述简明表中的所述条目由32个比特组成。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述简明表中的所述条目由34个比特组成。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

更新扩展快速存取存储器(FAM)表中的重定向指示表，从而为每个用户数据块的逻辑地址指示更换块是否被分配。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，扩展FAM表中的所述重定向指示表将单个比特与所述用户的数据段中的至少一个块相关联。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，扩展FAM表中的所述重定向指示表中的比特具有指示所述块地址的索引，并且其中，所述比特的内容指示所述块是否已经被重定向。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，更新扩展FAM表中的重定向指示表是通过改变单个比特来完成的。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，扩展FAM包括能够有单个比特可达性的快速存取的数据。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，扩展FAM包括具有至少短两倍的字线的快速存取的数据。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，扩展FAM包括宽度为NVM阵列内的数据区域中的单元的宽度的至少两倍的快速存取的数据。

20.根据权利要求1所述的方法，还包括：

a)将NVM晶片连接到包括编程控制器的编程控制台，其中所述NVM晶片包括：

用户数据段；

扩展FAM段；以及

管理逻辑；

b)使用：

所述NVM晶片的用户数据段中的数据；

所述NVM晶片的扩展FAM段中的重定向简明表；以及

所述NVM晶片的扩展FAM段中的重定向指示表，

对所述NVM晶片进行编程；

c)锁定所述NVM晶片；

d)断开所述NVM晶片与所述编程控制台的连接；

d)将所述NVM晶片连接到具有与所述编程控制器相比更少的计算资源的读取控制器；以及

e)使用所述读取控制器来读取用户信息，同时提供连续的地址空间。