[发明专利]用于生长Ⅲ族氮化物半导体层的方法无效
| 申请号： | 200980148843.3 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102265382A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李镐相;朴仲绪;郑泰勋;丁钟弼 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 生长 氮化物 半导体 方法 | ||
1.一种用于在衬底上生长III族氮化物半导体层的方法，所述方法包括：
在至少一个方向上抑制所述衬底的内凹弯曲的抑制步骤；和
在所述衬底处于所述抑制步骤的同时生长III族氮化物半导体层以与衬底结合的生长步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述抑制步骤通过抑制所述衬底的中心的弯曲来进行。
3.如权利要求2所述的方法，其中，通过相对地降低所述衬底中心的加热温度来抑制所述衬底中心的弯曲。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述III族氮化物半导体层包含有源层，所述有源层通过电子和空穴的复合来发射光，而且所述生长步骤通过将所述衬底的边缘的加热温度升高到高于所述衬底中心的加热温度来控制发射波长的分布。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述抑制步骤通过设置在基座下的多个加热器来进行，所述基座上放置有所述衬底。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述多个加热器沿所述基座的径向顺次排列。
7.如权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，所述衬底是蓝宝石衬底。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述衬底是大于2英寸的大面积C面蓝宝石衬底。
9.如权利要求7所述的方法，其中，所述蓝宝石衬底的厚度为500μm以上。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述衬底是厚度为800μm以下的薄蓝宝石衬底。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述蓝宝石衬底的厚度为约600μm。
12.如权利要求9所述的方法，其中，所述衬底是4英寸蓝宝石衬底。
13.如权利要求4所述的方法，其中，所述发射波长的分布小于20nm。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述衬底是大于2英寸的大面积C面蓝宝石衬底。
15.如权利要求3所述的方法，其中，通过使所述衬底中心的加热温度相对地降低10℃以上来抑制所述衬底中心的弯曲。
16.如权利要求4所述的方法，其中，所述生长步骤通过将所述衬底边缘的加热温度升高到比所述衬底中心的加热温度高10℃以上来控制所述发射波长的分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
