[发明专利]用于使用填充管进行压力测量的方法和设备有效
| 申请号: | 200980148272.3 | 申请日: | 2009-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN102239396A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 查尔斯·R·威勒克斯;罗伯特·C·海德克;卢良驹 | 申请(专利权)人: | 罗斯蒙德公司 |
| 主分类号: | G01L9/16 | 分类号: | G01L9/16;G01L13/02;G01L13/06;G01L15/00;G01L9/00;G01L23/12;G01L23/14 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘晓峰 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 使用 填充 进行 压力 测量 方法 设备 | ||
1.一种压力传感器,包括:
差压传感器,所述差压传感器具有第一端口、第二端口和与所述第一端口和第二端口之间的差压有关的输出;
第一填充管,所述第一填充管被布置成将所述第一端口耦合到第一过程压力;
第二填充管,所述第二填充管被布置成将所述第二端口耦合到第二过程压力;和
压力传感器,所述压力传感器耦合到所述第一管,并被构造成测量所述第一管中填充流体的压力,所述填充流体的压力为所述第一填充管的物理性质的变化的函数。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述物理性质包括所述第一填充管的变形。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述物理性质包括所述第一填充管的刚度。
4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述压力传感器测量所述第一填充管的磁性能。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述压力传感器被布置成测量所述第一填充管中的振荡。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,振荡频率与管路压力有关。
7.根据权利要求4所述的设备,包括被构造成作为所述磁性能的函数而共振的线路。
8.根据权利要求4所述的设备,包括驱动线圈和感测线圈,所述驱动线圈以期望的频率被驱动,并被布置成在传感器主体内感应磁通量。
9.根据权利要求4所述的设备,其中,所述填充管被构造成由于磁致伸缩效应而机械共振,并且在与施加的过程压力有关的频率下机械共振。
10.根据权利要求7所述的设备,包括节点止动件,所述节点止动件被布置成反映所述传感器主体内的振动。
11.根据权利要求4所述的设备,包括邻近所述填充管的偏磁体,所述偏磁体被构造成施加偏磁场。
12.根据权利要求4所述的设备,其中,所述线路进一步被构造成测量所述填充管的温度,所述填充管的温度为所述磁性能的函数。
13.根据权利要求4所述的设备,其中,所述磁性能包括磁导率。
14.根据权利要求13所述的设备,其中,所述传感器主体的磁导率的变化是由于施加的所述过程压力导致的设置在所述传感器主体上的应变的函数。
15.根据权利要求4所述的设备,其中,所述线路被构造成感测由施加的AC磁场产生的B场。
16.根据权利要求15所述的设备,其中,所述线路进一步被构造成基于所述磁导率特性在一定频率下振荡。
17.根据权利要求1所述的设备,包括第二压力传感器,所述第二压力传感器耦合到所述第二填充管。
18.根据权利要求17所述的设备,包括测量线路,所述测量线路被布置成根据来自压力传感器和所述第二压力传感器的输出测量差压。
19.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一填充管被构造为波登管。
20.根据权利要求1所述的设备,其中,所述压力传感器包括耦合到所述第一填充管的应变仪。
21.根据权利要求1所述的设备,其中,所述压力传感器包括电容器,所述电容器被布置成具有作为管路压力的函数变化的、关于所述第一填充管的电容。
22.根据权利要求1所述的设备,其中,所述压力传感器还进一步被构造成测量作为所述第一填充管的物理性质的变化的函数的温度。
23.根据权利要求1所述的设备,其中,所述压力传感器包括石英元件。
24.一种用于测量工业过程中的压力的方法,包括以下步骤:
将第一填充管耦合到所述工业过程以测量第一过程压力;
将第二填充管耦合到所述工业过程以测量第二过程压力;
使用耦合到所述第一填充管和所述第二填充管的差压传感器测量差压;以及
根据所述第一填充管的物理性质的变化测量所述过程流体的管路压力。
25.根据权利要求24所述的方法,其中,所述物理性质包括所述第一填充管的变形。
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