[发明专利]光学传感器阵列无效
申请号: | 200980148269.1 | 申请日: | 2009-10-21 |
公开(公告)号: | CN102239561A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | J·波罗格斯;S·考茨;H·格利高利;E·史密斯;J·卡特 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 传感器 阵列 | ||
1.一种显示器,包括用于感测入射到小芯片上的光的一个或更多个小芯片传感器。
2.根据权利要求1所述的显示器,其中,所述传感器被配置为产生对外光源的响应。
3.根据权利要求1所述的显示器,其中,所述传感器被配置为产生对由所述显示器发出的光的响应。
4.根据权利要求2所述的显示器,其中,所述显示器是触摸屏显示器。
5.根据权利要求2所述的显示器,其中,所述响应是针对环境光条件来补偿像素亮度的调整。
6.根据权利要求2所述的显示器,其中,所述显示器能够接收数字通信。
7.根据权利要求6所述的显示器,其中,所述数字通信来自于红外信号,所述红外信号源自于红外控制器或指示器。
8.一种用于包括多个小芯片的电路的光学位移传感器,所述传感器包括:
由单独的光敏元件的阵列形成的光敏区域,每个元件被配置为响应于入射光产生一个或更多个信号,并且其中,从输出的一个或更多个信号能导出小芯片从预定位置的位移。
9.根据权利要求8所述的传感器,还包括用于补偿从所述小芯片的位移导出的位置变化的控制电路。
10.根据权利要求8或9所述的传感器,其中,所述多个单独的光敏元件是光电二极管和/或光敏晶体管。
11.根据权利要求8~10中的任一项所述的传感器,其中,所述入射光子源自于有机发光二极管(OLED)。
12.根据权利要求8~11中的任一项所述的传感器,其中,所述传感器与所述小芯片集成。
13.根据权利要求8~12所述的传感器,其中,单个小芯片传感器服务于多个子像素。
14.一种测量有源显示器中的至少一个小芯片的位移的方法,该方法包括:
检测来自一个或更多个光源的光子并基于该检测产生输出信号;
比较相关的输出信号以确定所述一个或更多个光源相对于所述小芯片的位置。
15.一种补偿像素发射亮度随时间的变化的方法,其中,由小芯片来检测来自像素或子像素的发射,并调整所检测的像素发射亮度的任何变化。
16.根据权利要求14或15所述的方法,其中,一个小芯片传感器检测从多个像素或子像素发射的光。
17.根据权利要求15或16所述的方法,其中,所述小芯片驱动并感测来自一个或更多个像素或子像素的发射。
18.根据任何前述权利要求所述的传感器,其中,光经由选自:波导或光栅结构中的一个的光学结构被耦合到所述小芯片。
19.一种补偿在显示器的制造期间产生的小芯片驱动电路的位置变化的方法,所述显示器包括多个小芯片和由所述小芯片驱动的光源,该方法包括:
提供被放置为检测来自所述光源的光中的位置输出并基于该检测来产生输出信号的光子检测阵列;
将所述输出信号与表示所述光源的预期位置的预定值相比较以计算位置偏差;
控制驱动电路,从而以补偿所检测的偏差的方式来驱动所述光源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的