[发明专利]静电透镜构件

权利要求书

1.一种静电透镜，包括：

第一导电板，其配备第一孔径；

第二导电板，其配备第二孔径，所述第二孔径与所述第一孔径基本对准；

用于向所述第一导电板提供第一电压并向所述第二导电板提供第二电压的电压电源，所述第二电压低于所述第一电压；以及

绝缘构件，用于将所述第一导电板与所述第二导电板分开；

其中，所述绝缘构件包括与所述第一导电板接触的第一部分和与所述第二导电板接触的第二部分，所述第一部分具有垂悬的部分，且所述第二部分具有在所述绝缘构件的边缘处的齿状部分，并且其中在所述垂悬部分和所述第二导电板之间形成了间隙。

2.如权利要求1所述的静电透镜，其中所述间隙的电容率大于所述绝缘构件的电容率。

3.如权利要求2所述的静电透镜，其中所述间隙的电容率比所述绝缘构件的电容率至少大四倍。

4.如前述权利要求中的任一项所述的静电透镜，其中，在操作中，在所述绝缘构件的所述垂悬部分与所述第二导电板之间的所述间隙中的电场强度大于跨越所述绝缘构件的所述第二部分的电场强度。

5.如前述权利要求中的任一项所述的静电透镜，其中，所述绝缘构件的所述第一部分和所述第二部分具有相等的厚度。

6.如前述权利要求中的任一项所述的静电透镜，其中，所述绝缘构件的所述第一部分和所述第二部分包括被结合在一起的分离构件。

7.如前述权利要求中的任一项所述的静电透镜，其中，所述绝缘构件的面对所述第一导电板的表面配备有导电层，该导电层与所述第一导电板电接触，用于限制所述第一导电板与所述绝缘构件之间的电场增强。

8.如权利要求7所述的静电透镜，其中使用沉积技术将所述导电层沉积在所述绝缘构件的表面上。

9.如权利要求7或8所述的静电透镜，其中，所述导电层包括铬或钽。

10.如前述权利要求中的任一项所述的静电透镜，其中在所述第一导电板和所述第二导电板之间的距离在从约100μm至200μm的范围内。

11.如前述权利要求中的任一项所述的静电透镜，其中所述透镜能够经受住高于10V/μm的场强而不闪络，且更优选地所述透镜能够经受住在25V/μm-50V/μm的范围内的场强而不闪络。

12.如前述权利要求中的任一项所述的静电透镜，其中所述绝缘构件包括硼硅玻璃。

13.一种静电透镜阵列，包括多个依据前述权利要求中的任一项所述的静电透镜。

14.如权利要求13所述的静电透镜阵列，其中所述绝缘构件采取了配备有至少一个第三孔径的绝缘板的形式，所述至少一个第三孔径被布置成使得其侧壁的投影确定多个第一孔径和第二孔径的界限。

15.如权利要求13所述的静电透镜阵列，其中所述绝缘构件采取多个细长杆的形式，使得在邻接杆之间存在由第一孔径和第二孔径形成的多条传输路径。

16.一种带电粒子子束微影系统，包括：

带电粒子源，用于产生带电粒子束；

孔径阵列，用于从所述带电粒子束生成多个子束；

子束调节系统，用于依据图形调节所述多个子束；以及

如前述权利要求13-15中的任一项所述的静电透镜阵列，用于聚焦所述多个子束。

17.如权利要求16所述的带电粒子子束微影系统，其中所述静电透镜阵列被定位在所述孔径阵列和所述子束调节系统之间。

18.如权利要求16或17所述的带电粒子子束微影系统，其中所述带电粒子子束微影系统进一步包括用于支撑要形成图形的基板的支撑单元，并且所述静电透镜阵列被定位在所述子束调节系统的下游，用于将多个经调节的子束聚焦在所述基板的目标表面上。