[发明专利]多个半导体存储器单元中的错误校正有效

专利信息
申请号: 200980147989.6 申请日: 2009-10-28
公开(公告)号: CN102227779A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 戴维·R·雷斯尼克 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/24;G11C29/26
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 单元 中的 错误 校正
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

第一半导体存储器单元,其经配置以存储具有第一值的数据;及

第二半导体存储器单元,其经配置以存储错误校正信息以恢复所述数据,所述错误校正信息具有等于至少所述第一值的值。

2.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括至少一个额外半导体存储器单元,所述至少一个额外半导体存储器单元经配置以存储具有额外值的额外数据,其中所述错误校正信息的所述值等于至少所述第一值与所述额外值的总和。

3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一半导体存储器单元、所述第二半导体存储器单元及所述至少一个额外半导体存储器单元为所述设备的M总数个半导体存储器单元的至少一部分,其中M等于N加1,且其中N等于2X,且X为等于最小1的整数。

4.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一半导体存储器单元、所述第二半导体存储器单元及所述至少一个额外半导体存储器单元被包封于同一集成电路封装中。

5.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一半导体存储器单元、所述第二半导体存储器单元及所述至少一个额外半导体存储器单元被包封于单独集成电路封装中。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述错误校正信息的所述值等于所述第一值。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述错误校正信息为第一错误校正信息,所述数据为第一数据,其中所述第二半导体存储器单元进一步经配置以存储具有第二值的第二数据,且其中所述第一半导体存储器单元进一步经配置以存储第二错误校正信息,所述第二错误校正信息具有基于所述第二数据的至少一值的值。

8.根据权利要求7所述的设备,其进一步包括至少一个额外半导体存储器单元,所述至少一个额外半导体存储器单元经配置以存储具有第三值的第三数据,其中所述总和等于至少所述第一值加所述第三值,且其中所述至少一个额外半导体存储器单元进一步经配置以存储第三错误校正信息,所述第三错误校正信息具有基于所述第一及第二半导体存储器单元中的至少一者中所存储的数据的值的值。

9.一种设备,其包括:

第一半导体存储器单元,其经配置以存储具有第一值的第一数据;

第二半导体存储器单元,其经配置以存储具有第二值的第二数据;及

第三半导体存储器单元,其经配置以存储错误校正信息以恢复第一数据及所述第二数据中的一者,所述错误校正信息具有部分地基于所述第一及第二值的值。

10.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括经配置以在存储所述第一数据时将所述第一数据的所述值与所述错误校正信息的所述值相加的组件。

11.根据权利要求10所述的设备,其进一步包括经配置以在存储所述第二数据时将所述第二数据的所述值与所述错误校正信息的所述值相加的组件。

12.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括经配置以在所述第一数据中出现错误的情况下从所述错误校正信息的所述值中减去所述第二数据的至少所述值以恢复所述第一数据的组件。

13.根据权利要求9所述的设备,其中所述第一半导体存储器单元包含经配置以存储所述第一数据的第一裸片,且所述第二半导体存储器单元包含经配置以存储所述第二数据的第二裸片。

14.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一半导体存储器单元包含与所述第一半导体存储器单元内的第一地址相关联的用以存储所述第一数据的第一存储器位置,所述第二半导体存储器单元包含与所述第二半导体存储器单元内的第二地址相关联的用以存储所述第二数据的第二存储器位置,所述第三半导体存储器单元包含与所述第三半导体存储器单元内的第三地址相关联的用以存储所述第一数据的第三存储器位置,且其中所述第一、第二及第三地址具有相同地址值。

15.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括至少一个额外半导体存储器单元,所述至少一个额外半导体存储器单元经配置以存储至少一个额外数据以使得所述错误校正信息具有基于所述第一值、所述第二值及所述额外数据的值的值。

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