[发明专利]稠环体系取代的噻咯及其在有机电子器件中的用途有效
申请号: | 200980147883.6 | 申请日: | 2009-10-07 |
公开(公告)号: | CN102246328A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 卡斯藤·霍伊泽尔;阿尔维德·洪策;京特·施米德;拉尔夫·克劳泽;尼科尔·朗热;奥利弗·莫尔特;科林纳·多曼;伊夫琳·富克斯;延斯·鲁道夫;克里斯蒂安·伦纳茨;渡部惣一;克里斯蒂安·席尔德克内希特;格哈德·瓦根布拉斯特;沃尔克·万埃尔斯贝根;赫伯特·弗里德里希·伯尔纳 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司;皇家飞利浦电子股份有限公司;巴斯夫股份公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;吴鹏章 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 体系 取代 及其 有机 电子器件 中的 用途 | ||
1.通式(I)的化合物在有机电子应用中的用途,
其中:
A表示由至少3个稠环构成的稠合的环体系,所述稠环互相独立地具有4至10个环元素和可以是饱和的或者是一元或多元不饱和的,并且可以是未取代的或者是被一个或更多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、SiR2R3R4和具有给体作用或受体作用的基团的取代基所取代,所述稠合的环体系在稠合的环体系自身或在至少一个取代基内具有至少一个杂原子;
表示含Si的具有4至10个环元素的环,所述环可以是饱和的或者是一元或多元不饱和的,并且除了Si原子之外可以具有一个或更多个其它杂原子,并且可以是未取代的或者是被一个或更多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体作用或受体作用的基团的取代基所取代,稠合的环体系的其它部分的含硅的环可以由至少两个环构成,所述稠合的环体系中的其它环互相独立地可以是饱和的或者是一元或多元不饱和的,并且可以是未取代的或者是被一个或更多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体作用或受体作用的基团的取代基所取代和可以具有一个或更多个杂原子;
R1表示A或烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基,优选表示烷基、芳基或杂芳基;
R2,R3,R4互相独立地表示烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基,基团R2,R3和R4或者基团R2,R3和R4中的两个可以共同构成稠合的环体系,所述稠合的环体系由2至6个环,优选2至3个环构成,所述环分别可以是饱和的或者是一元或多元不饱和的,并且可以是未取代的或者是被一个或更多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体作用或受体作用的基团的取代基所取代。
2.根据权利要求1的用途,其特征在于,所述式(I)的化合物被用作基体材料和/或空穴-/激子阻挡材料。
3.根据权利要求1或2的用途,其特征在于,基团A在式(I)中具有下面的意义:
A由三个稠环构成的稠合的环体系,所述稠环互相独立地具有五个或六个环元素,三个稠环中的至少一个至少是二元不饱和的,所述稠合的环体系具有至少一个含杂原子的基团,其选自S、O、N、SO、SO2和P,优选S、O和N,特别优选S和O。
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