[发明专利]IVA族小颗粒组合物和相关方法

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

碾磨进料以形成包含IVA族元素且平均颗粒尺寸小于250nm的颗粒；和

使基材与所述颗粒和液体的混合物接触以在所述基材上形成包含所述IVA族元素的层。

2.权利要求1的方法，其中所述IVA族元素为Si。

3.权利要求1的方法，其中所述IVA族元素为Ge。

4.权利要求1的方法，其中所述接触步骤包括用所述混合物浸涂所述基材以形成所述层。

5.权利要求1的方法，其中所述接触步骤包括将所述混合物旋涂到所述基材上以形成所述层。

6.权利要求1的方法，其中所述颗粒的平均颗粒尺寸小于100nm。

7.权利要求1的方法，其中所述颗粒的平均颗粒尺寸小于50nm。

8.权利要求1的方法，所述方法还包括在所述接触步骤之前对所述颗粒涂布涂层。

9.权利要求8的方法，其中所述涂层为导电涂层。

10.权利要求9的方法，其中所述涂层为碳。

11.权利要求10的方法，其中所述涂层包含至少一些sp2构型的碳。

12.权利要求1的方法，其中所述层包含超过约90重量％的所述颗粒。

13.一种方法，所述方法包括：

碾磨进料以形成包含IVA族元素的颗粒；和

在所述颗粒上形成厚度小于50nm的碳涂层。

14.权利要求13的方法，其中所述涂层包含至少一些sp2构型的碳。

15.权利要求13的方法，其中形成所述涂层包括在高于500℃的温度下使所述颗粒暴露于气态碳源。

16.权利要求13的方法，其中所述涂层为导电涂层。

17.权利要求13的方法，所述方法还包括使基材与所述颗粒和液体的混合物接触以在所述基材上形成包含所述IVA族元素的层。

18.权利要求13的方法，其中所述IVA族元素为Si。

19.权利要求13的方法，其中所述IVA族元素为Ge。

20.权利要求13的方法，其中所述颗粒的平均颗粒尺寸小于100nm。

21.权利要求13的方法，其中所述颗粒的平均颗粒尺寸小于50nm。

22.一种方法，所述方法包括：

提供包含IVA族元素的颗粒与液体的混合物；

使基材与所述混合物接触以在所述基材上形成层，所述层包含超过50重量％的所述IVA族元素。

23.权利要求22的方法，其中所述层包含超过75重量％的所述IVA族元素。

24.权利要求22的方法，其中所述层包含超过95重量％的所述IVA族元素。

25.权利要求22的方法，所述方法还包括碾磨进料以形成包含所述IVA族元素的颗粒。

26.一种颗粒组合物，所述颗粒组合物包括：

包含IVA族元素且平均颗粒尺寸小于100nm的颗粒，

其中所述颗粒组合物是可旋涂的。

27.权利要求26的组合物，其中所述IVA族元素为Si。

28.权利要求26的组合物，其中所述IVA族元素为Ge。

29.权利要求26的组合物，其中所述平均颗粒尺寸小于50nm。

30.权利要求26的组合物，其中所述颗粒具有小片形状。

31.一种颗粒组合物，所述颗粒组合物包括：

包含IVA族元素且平均颗粒尺寸小于100nm的颗粒，所述颗粒具有碳涂层。

32.权利要求31的组合物，其中所述涂层包含至少一些sp2构型的碳。

33.权利要求26的组合物，其中所述平均颗粒尺寸小于50nm。

34.权利要求26的组合物，其中所述颗粒具有小片形状。