[发明专利]半导体层及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体层，具备上表面、下表面以及侧面，

上述侧面中的与上述上表面的边界附近部分的切线相对于上述下表面的法线倾斜，

上述侧面中的比上述边界附近部分远离上述上表面的某部分的切线与由上述下表面所规定的平面形成的角度比上述边界附近部分的切线与由上述下表面所规定的平面形成的角度大。

2.根据权利要求1所述的半导体层，上述侧面中的从与上述半导体层的上述上表面的边界附近到与上述下表面的边界附近为止的各个部分的切线与由上述下表面所规定的平面形成的角度呈单调增加。

3.根据权利要求1或2所述的半导体层，上述侧面具有圆弧形状。

4.根据权利要求3所述的半导体层，上述圆弧形状具有大于等于20nm的曲率半径。

5.根据权利要求3或4所述的半导体层，上述圆弧形状具有与上述半导体层的厚度大致相等的曲率半径。

6.根据权利要求3～5中的任一项所述的半导体层，上述圆弧形状位于上述侧面的上方部分。

7.根据权利要求3～6中的任一项所述的半导体层，上述圆弧形状跨上述半导体层的厚度的1/3以上。

8.根据权利要求1或2所述的半导体层，上述侧面具有倾斜平面。

9.根据权利要求8所述的半导体层，上述倾斜平面跨上述半导体层的厚度的1/3以上。

10.根据权利要求8或9所述的半导体层，上述侧面进一步具有垂直于上述下表面的平面。

11.根据权利要求8或9所述的半导体层，上述侧面进一步具有相对于上述下表面的角度与上述倾斜平面不同的其它倾斜平面，

上述倾斜平面与由上述下表面所规定的平面形成的角度比上述其它倾斜平面与由上述下表面所规定的平面形成的角度小。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的半导体层，上述半导体层具有大于等于30nm小于等于80nm的厚度。

13.一种薄膜晶体管，具备：

基板，其具有绝缘性表面；

半导体层，其是权利要求1～12中的任一项所述的半导体层，设于上述绝缘性表面上；

栅极绝缘膜，其覆盖上述半导体层；以及

栅极电极，其隔着上述栅极绝缘膜与上述半导体层的一部分相对。

14.一种半导体层的形成方法，包含如下工序：

形成半导体膜；

在上述半导体膜上形成光致抗蚀剂层；

进行第1蚀刻，即，利用上述光致抗蚀剂层作为掩模，除去上述半导体膜的一部分来形成岛状半导体层；

在上述第1蚀刻后进行第2蚀刻，即，除去上述岛状半导体层和上述光致抗蚀剂层各自的边缘部的至少一部分；以及

在上述第2蚀刻后除去上述光致抗蚀剂层。

15.根据权利要求14所述的半导体层的形成方法，在上述第2蚀刻中，上述光致抗蚀剂层的蚀刻速度比上述岛状半导体层的蚀刻速度高。

16.根据权利要求14或15所述的半导体层的形成方法，在上述第1蚀刻中，上述半导体膜的蚀刻速度比上述光致抗蚀剂层的蚀刻速度高。

17.根据权利要求14～16中的任一项所述的半导体层的形成方法，上述第2蚀刻所进行的时间比上述第1蚀刻所进行的时间短。

18.根据权利要求14～17中的任一项所述的半导体层的形成方法，上述第2蚀刻中的上述岛状半导体层的蚀刻各向异性地进行。

19.根据权利要求14～18中的任一项所述的半导体层的形成方法，在进行上述第2蚀刻的工序中，在上述岛状半导体层的边缘部形成圆弧形状或倾斜平面。

20.根据权利要求14～19中的任一项所述的半导体层的形成方法，上述第1蚀刻包含使用混合气体的干式蚀刻。

21.根据权利要求20所述的半导体层的形成方法，上述第2蚀刻包含使上述混合气体的混合比与上述第1蚀刻不同的工序。

22.根据权利要求21所述的半导体层的形成方法，上述混合气体包含四氟甲烷和氧气。