[发明专利]处理装置无效
申请号: | 200980145914.4 | 申请日: | 2009-11-17 |
公开(公告)号: | CN102217049A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 清水正裕 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/22;H01L21/268;H01L21/31;H01L21/683 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种采用电磁波对被处理体实施热处理的处理装置,其特征在于,包括:
具有规定长度的金属制的处理容器;
设置在所述处理容器的一端的搬出搬入口;
能够关闭和打开所述搬出搬入口的关闭体;
保持单元,其从所述搬出搬入口被搬出和搬入所述处理容器内,对多块所述被处理体隔着规定的间隔进行保持,并包括透过电磁波的材料;
向所述处理容器内导入电磁波的电磁波供给单元;
向所述处理容器内导入所需气体的气体导入单元;和
对所述处理容器内的气氛进行排气的排气单元。
2.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
在形成所述处理容器的分隔壁形成有用于向所述处理容器内导入所述电磁波的电磁波导入口,并且在所述电磁波导入口设置有包括透过所述电磁波的材料的透过板。
3.如权利要求2所述的处理装置,其特征在于:
所述电磁波供给单元包括:产生所述电磁波的电磁波发生源;设置在所述透过板的入射天线部;和将所述电磁波发生源与所述入射天线部连接的波导通道。
4.如权利要求3所述的处理装置,其特征在于:
所述电磁波发生源产生的电磁波的频率在10MHz~10THz的范围内。
5.如权利要求1至4的任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述处理容器的内表面被实施镜面精加工。
6.如权利要求1至5的任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述处理容器以其纵向沿着重力方向的方式设置。
7.如权利要求1至5的任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述处理容器以其纵向沿着水平方向的方式设置。
8.如权利要求1至7的任一项所述的处理装置,其特征在于:
在所述处理容器的搬出搬入口一侧连结有具有使所述保持单元相对于所述处理容器内被搬入或搬出的搬入搬出单元的装载室。
9.如权利要求8所述的处理装置,其特征在于:
所述装载室是大气压气氛。
10.如权利要求8所述的处理装置,其特征在于:
所述装载室构成为能够实现选择真空气氛和大气压气氛。
11.如权利要求1至10的任一项所述的处理装置,其特征在于:
在所述金属制的处理容器内设置有由透过所述电磁波的材料形成的、将所述保持单元收容在内部并且一端开口的内侧处理容器。
12.如权利要求11所述的处理装置,其特征在于:
还具备内侧关闭体,其关闭和打开为了相对于所述内侧处理容器搬出搬入所述保持单元而设置在所述内侧处理容器的开口,
所述内侧关闭体与关闭和打开所述金属制的处理容器的搬出搬入口的关闭体一体设置。
13.如权利要求1至12的任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述被处理体包括半导体基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造