[发明专利]多结光电器件及其生产方法

权利要求书

1.一种多结光电器件(1)，包括其上沉积第一导电层(3)的基底(2)、其上沉积第二导电层(7)的n-i-p或n-p配置的至少两个基本光电器件(4，6)、以及在两个相邻基本光电器件(4，6)之间提供的至少一个中间层(5)，其特征在于，所述中间层(5)具有在进光侧的顶部面(10)和在另一侧的底部面(11)，所述底部面(11)具有大于150nm的峰到谷粗糙度，并且其特征在于，所述顶部面(10)和底部面(11)分别具有包括倾斜的基本表面的表面形态，使得α_90底部小于α_90顶部至少3°，优选地6°，更优选地10°，并且甚至更优选地15°；其中α_90顶部是这样的角度：所述中间层(5)的顶部面(10)的基本表面的90％具有等于或小于该角度的倾斜度，并且α_90底部是这样的角度：所述中间层(5)的底部面(11)的基本表面的90％具有等于或小于该角度的倾斜度。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，α_90顶部包括在20°和80°之间，优选地在25°和50°之间。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，α_90底部包括在5°和40°之间，优选地在5°和25°之间。

4.根据前述权利要求的任一所述的器件，其特征在于，朝向所述基底(2)一侧的基本光电器件(4)基于微晶硅，并且其特征在于，在所述进光侧的基本光电器件(6)基于非晶硅。

5.根据前述权利要求的任一所述的器件，其特征在于，所述中间层(5)具有0.6μm至5μm的厚度，优选地0.8μm至3μm。

6.根据前述权利要求的任一所述的器件，其特征在于，所述中间层(5)由具有与硅的折射率(n＝4)不同的折射率的层构成，优选地n为1.5至2.5。

7.根据前述权利要求的任一所述的器件，其特征在于，所述中间层(5)由选自下述的氧化物的层构成：氧化锌、掺杂的氧化硅、掺杂的多孔氧化硅、氧化锡、氧化铟及其组合。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，在选择的氧化物的生长期间获得所述中间层(5)的顶部面(10)的表面形态。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述中间层(5)由通过LPCVD(低压CVD)沉积的ZnO层构成，以便通过ZnO的生长获得所述顶部面(10)的所要求的表面形态。

10.根据权利要求1到7的任一所述的器件，其特征在于，在已经沉积所述中间层(5)之后通过表面处理获得所述中间层(5)的顶部面(10)的表面形态。

11.一种用于生产多结光电器件(1)的方法，所述多结光电器件(1)包括其上沉积第一导电层(3)的基底(2)、其上沉积第二导电层(7)的n-i-p或n-p配置的至少两个基本光电器件(4，6)，其特征在于，所述方法包括在所述基本光电器件(4)的至少一个上沉积中间层(5)的步骤，所述中间层(5)具有在进光侧的顶部面(10)和在另一侧的底部面(11)，所述底部面(11)具有大于150nm的峰到谷粗糙度，并且所述顶部面(10)和底部面(11)分别具有包括倾斜的基本表面的表面形态，使得α_90底部小于α_90顶部至少3°，优选地6°，更优选地10°，并且甚至更优选地15°；其中α_90顶部是这样角度：所述中间层(5)的顶部面(10)的表面的90％含有倾斜度等于或小于该角度的基本表面，并α_90底部是这样的角度：所述中间层(5)的底部面(11)的表面的90％含有倾斜度等于或小于该角度的基本表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述中间层(5)由选自下述的氧化物的层构成：氧化锌、掺杂的氧化硅、掺杂的多孔氧化硅、氧化锡、氧化铟及其组合。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述沉积中间层(5)的步骤使用单个步骤工艺，所述单个步骤工艺用于通过使用的氧化物的生长获得所述顶部面(10)的所要求的表面形态。