[发明专利]对用于PVD方法的衬底进行预处理的方法有效
| 申请号: | 200980145840.4 | 申请日: | 2009-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN102216486A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
| 发明(设计)人: | H.鲁迪吉尔;J.拉姆;B.维德里希;T.冯布劳克 | 申请(专利权)人: | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/32 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;卢江 |
| 地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 pvd 方法 衬底 进行 预处理 | ||
1. 一种用于在真空处理设备中对工件进行表面处理的方法,该真空处理设备具有构成为靶的第一电极,该第一电极是电弧蒸镀源的部件,其中在该第一电极上用火花电流运行火花,通过该火花电流从所述靶蒸镀材料,该材料至少部分及暂时地沉积在所述工件上,并且该真空处理设备具有构成为工件固定装置并且与工件一起形成偏置电极的第二电极,其中借助电压源将偏置电压施加到该偏置电极上,其中该偏置电压与火花电流相协调地被施加,使得在该表面上基本上纯粹不发生材料合成,其特征在于,用脉冲式电流运行该第一电极,其中通过该脉冲产生与非脉冲式运行相比提高的经过工件表面的衬底电流,并且由此在相对于第一电极的非脉冲式运行来说更低的偏置电压的情况下在该表面上纯粹不发生材料合成。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,无工作气体地和/或无反应气体地执行该方法。
3. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,所述衬底偏置电压脉冲式地运行。
4. 根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述衬底偏置电压的当前脉冲频率是所述火花电流的脉冲频率的整数倍,也包含一倍。
5. 根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该偏置电压的脉冲相对于所述火花电流的脉冲在相位上移位了一个时间间隔,该时间间隔基本上与离子从靶到衬底的平均飞行持续时间相应。
6. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,作为衬底使用硬金属,其中所述衬底表面是刀刃、如转位式刀片,其中该方法被实施为对表面上的钴贫化进行修复。
7. 根据权利要求1至5之一所述的方法,其特征在于,所述靶材料和/或必要时所述反应气体与所述衬底的材料成份发生化学反应,并优选由此形成稳定的成份。
8. 根据权利要求7所述的方法,其特征在于,作为靶使用金属靶,所述衬底包含碳,并且所述化学反应导致碳化物的形成。
9. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,所述火花电流的脉冲被选择为使得出现至少为1000A/ms的电流上升值,优选出现至少为10000A/ms的电流上升值。
10. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,对于在时间平均值方面相同的火花电流(DC和脉冲式)来说,涉及在靶上被蒸镀的材料(每单位时间每单位火花电流的质量)的平均衬底离子电流提高超过10%,优选超过30%。
11. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,在该衬底上实现零生长或小于5nm/s的速率。
12. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,既能够在火花靶前面具有挡板情况下执行所述表面处理,也能够在火花靶前面没有挡板情况下执行所述表面处理。
13. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,使用优选大于500A/ms的脉冲斜度,该脉冲斜度优选为1000A/ms。
14. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,使用大于100Hz,优选大于1000Hz的脉冲频率。
15. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,在靶材料一方面与反应气体以及另一方面与衬底材料之间在所述衬底表面中形成化学化合物的结果能够得到检测。
16. 根据上述权利要求之一所述的方法,其特征在于,该方法在反应气体中执行,而不导致层合成。
17. 根据上述权利要求之一所述的方法用于至少部分地修复与衬底内部相比在表面上被贫化的材料浓度的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫),未经欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980145840.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





