[发明专利]用于数据储存设备的非易失性双存储晶片

权利要求书

1.一种非易失性存储晶片，包括：

代码区，其具有第一存储容量和代码区存取分辨率；以及

数据区，其具有第二存储容量和数据区存取分辨率；

其中，所述第二存储容量大于所述第一存储容量，并且其中所述代码区存取分辨率比所述数据区存取分辨率更精细，并且其中所述代码区和所述数据区使用所述晶片上的相同单元结构形成。

2.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，所述代码区和所述数据区能够被编程一次。

3.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，所述单元结构是NROM结构。

4.如权利要求3所述的非易失性存储晶片，其中，所述NROM单元包括用作电荷俘获区的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆叠电介质；由彼此互相垂直的埋入式比特线和字线组成的对称阵列；以及沟道热电子注入编程。

5.如权利要求3所述的非易失性存储晶片，其中，所述代码区中的NROM单元密度包括每单元1比特。

6.如权利要求3所述的非易失性存储晶片，其中，所述代码区中的NROM单元密度包括每单元2比特。

7.如权利要求3所述的非易失性存储晶片，其中，所述数据区中的NROM单元密度包括每单元至少2比特。

8.如权利要求7所述的非易失性存储晶片，其中，所述数据区中的NROM单元密度包括每单元至少4比特。

9.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，在所述代码区中可存取的一个命令的最小数据尺寸最多为64比特。

10.如权利要求9所述的非易失性存储晶片，其中，在所述代码区中可存取的一个命令的最小数据尺寸最多为16比特。

11.如权利要求10所述的非易失性存储晶片，其中，在所述代码区中可存取的一个命令的最小数据尺寸最多为8比特。

12.如权利要求11所述的非易失性存储晶片，其中，在所述代码区中可存取的一个命令的最小数据尺寸是1比特。

13.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，在所述数据区中可存取的最小数据尺寸在一个命令中是至少512字节。

14.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，所述第一存储容量不超过所述第二存储容量的1％。

15.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，所述第一存储容量不超过256K字节而所述第二存储容量是至少64M字节。

16.如权利要求15所述的非易失性存储晶片，其中，所述第一存储容量不超过256K字节而所述第二存储容量不超过2G字节。

17.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，所述代码区能够被编程和擦除而所述数据区只能够被编程一次。

18.如权利要求1所述的非易失性存储晶片，其中，所述晶片被并入数据储存设备内，所述数据储存设备包括在主机和所述非易失性存储晶片之间连接的控制器。

19.如权利要求18所述的非易失性存储晶片，其中，所述控制器和所述非易失性存储晶片在不同晶片上加工。

20.如权利要求18所述的非易失性存储晶片，其中，所述控制器和所述非易失性存储晶片在相同晶片上加工。