[发明专利]EUV光刻用反射型掩模坯料

权利要求书

1.一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和对掩模图案检查光为低反射的低反射层，其中所述检查光的波长为190～260nm，

所述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，

在所述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。

2.根据权利要求1所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，在所述低反射层中，Ta与O的组成比为Ta∶O＝1∶8～3∶1。

3.一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和对掩模图案检查光为低反射的低反射层，其中所述检查光的波长为190～260nm，

所述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)、氮(N)和氢(H)，

在所述低反射层中，Ta、O和N的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。

4.根据权利要求3所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，在所述低反射层中，Ta与(O+N)的组成比为Ta∶(O+N)＝1∶8～3∶1。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射层表面的表面粗糙度(rms)为0.5nm以下。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射层表面的晶体结构为无定形。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射层的膜厚为3～30nm。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收体层以钽(Ta)为主要成分。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收体层以钽(Ta)为主要成分，且含有选自铪(Hf)、硅(Si)、锆(Zr)、锗(Ge)、硼(B)、氮(N)和氢(H)中的至少一种元素。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收体层的氧(O)的含有率低于25at％。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收体层与所述低反射层的总膜厚为30～200nm。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，在所述反射层与所述吸收体层之间形成有用于在对所述吸收体层形成图案时保护所述反射层的保护层，

所述掩模图案的波长为190～260nm的检查光在所述保护层表面的反射光与在所述低反射层表面的反射光的反差为60％以上。

13.根据权利要求1～12中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射层中的氢的含量比所述吸收体层中的氢的含量多1at％以上。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述掩模图案的波长为190～260nm的检查光在所述低反射层表面的反射率为15％以下。

15.根据权利要求1或2所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射层通过在包含惰性气体、氧(O)气和氢(H)气的气氛中实施使用Ta靶的溅射法来形成，所述惰性气体包含氦(He)、氩(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中的至少一种气体。

16.根据权利要求3或4所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射层通过在包含惰性气体、氧(O)气、氮(N)气和氢(H)气的气氛中实施使用Ta靶的溅射法来形成，所述惰性气体包含氦(He)、氩(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中的至少一种气体。