[发明专利]用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物有效

专利信息
申请号: 200980143419.X 申请日: 2009-10-21
公开(公告)号: CN102203160A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·G·R·特比兹 申请(专利权)人: 巴斯夫欧洲公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘金辉;林柏楠
地址: 德国路*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 有机 半导体器件 吡咯 聚合物
【权利要求书】:

1.一种包含一个或多个式(重复)单元和至少一个选自式重复单元的(重复)单元的聚合物,一种包含一个或多个式(III)(重复)单元的聚合物,或一种包含式(IV)(重复)单元的聚合物,

其中Ar23为式或基团,

Ar30为式

基团,其中

R26和R26’彼此独立地为C4-C18烷基,尤其是C4-C18烷基,

A为式或(VI)基团,

a为0或者1或2的整数,

b为0或者1或2的整数,

p为0或者1或2的整数,y为0或1,

q为0或者1或2的整数,s为0或1,

u为1或2的整数,t为0或1,

v为1或2的整数,w为0或1,

Ar21、Ar21’、Ar24、Ar24’、Ar25、Ar27、Ar29、Ar31、Ar31’、Ar38、Ar34、Ar36、Ar39、Ar1和Ar1’彼此独立地为式基团,

Ar3和Ar3’彼此独立地具有Ar1的含义或为式基团,

Ar2、Ar2’、Ar26、Ar28、Ar33、Ar35、Ar37、Ar32、Ar32’、Ar22和Ar22’彼此独立地为式基团,

X1和X2中一个为N且另一个为CH,

X3和X4中一个为N且另一个为CR3’,

R1、R2、R24和R25可相同或不同且选自氢,C1-C100烷基,尤其是C6-C24烷基;C6-C24芳基,尤其是苯基或1-或2-萘基,其可被C1-C8烷基、C1-C8硫代烷氧基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次;或五氟苯基,

R3和R3’彼此独立地为C1-C25烷基,尤其是C4-C25烷基,其可任选被一个或多个氧原子间隔,和

B、D和E彼此独立地为式

或式I基团,条件是在B、D和E为式I基团的情况下,它们与A不同,其中

k为1,

l为0或1,

r为0或1,

z为0或1,且

Ar4、Ar5、Ar6和Ar7彼此独立地为式

基团,其中X5和X6中一个为N且另一个为CR14

c为1、2或3的整数,

d为1、2或3的整数,

Ar8和Ar8’彼此独立地为式基团,

X1和X2如上所定义,

R1”和R2”可相同或不同且选自氢;C1-C36烷基,尤其是C6-C24烷基;C6-C24芳基,尤其是苯基或1-或2-萘基,其可被C1-C8烷基、C1-C8硫代烷氧基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次;或五氟苯基,

R14、R14’、R17和R17’彼此独立地为H或C1-C25烷基,尤其是C6-C25烷基,其可任选被一个或多个氧原子间隔。

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