[发明专利]用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物有效
| 申请号: | 200980143419.X | 申请日: | 2009-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN102203160A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·G·R·特比兹 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 有机 半导体器件 吡咯 聚合物 | ||
1.一种包含一个或多个式(重复)单元和至少一个选自式重复单元的(重复)单元的聚合物,一种包含一个或多个式(III)(重复)单元的聚合物,或一种包含式(IV)(重复)单元的聚合物,
其中Ar23为式或基团,
Ar30为式
基团,其中
R26和R26’彼此独立地为C4-C18烷基,尤其是C4-C18烷基,
A为式或(VI)基团,
a为0或者1或2的整数,
b为0或者1或2的整数,
p为0或者1或2的整数,y为0或1,
q为0或者1或2的整数,s为0或1,
u为1或2的整数,t为0或1,
v为1或2的整数,w为0或1,
Ar21、Ar21’、Ar24、Ar24’、Ar25、Ar27、Ar29、Ar31、Ar31’、Ar38、Ar34、Ar36、Ar39、Ar1和Ar1’彼此独立地为式基团,
Ar3和Ar3’彼此独立地具有Ar1的含义或为式基团,
Ar2、Ar2’、Ar26、Ar28、Ar33、Ar35、Ar37、Ar32、Ar32’、Ar22和Ar22’彼此独立地为式基团,
X1和X2中一个为N且另一个为CH,
X3和X4中一个为N且另一个为CR3’,
R1、R2、R24和R25可相同或不同且选自氢,C1-C100烷基,尤其是C6-C24烷基;C6-C24芳基,尤其是苯基或1-或2-萘基,其可被C1-C8烷基、C1-C8硫代烷氧基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次;或五氟苯基,
R3和R3’彼此独立地为C1-C25烷基,尤其是C4-C25烷基,其可任选被一个或多个氧原子间隔,和
B、D和E彼此独立地为式
或式I基团,条件是在B、D和E为式I基团的情况下,它们与A不同,其中
k为1,
l为0或1,
r为0或1,
z为0或1,且
Ar4、Ar5、Ar6和Ar7彼此独立地为式
基团,其中X5和X6中一个为N且另一个为CR14,
c为1、2或3的整数,
d为1、2或3的整数,
Ar8和Ar8’彼此独立地为式基团,
X1和X2如上所定义,
R1”和R2”可相同或不同且选自氢;C1-C36烷基,尤其是C6-C24烷基;C6-C24芳基,尤其是苯基或1-或2-萘基,其可被C1-C8烷基、C1-C8硫代烷氧基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次;或五氟苯基,
R14、R14’、R17和R17’彼此独立地为H或C1-C25烷基,尤其是C6-C25烷基,其可任选被一个或多个氧原子间隔。
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